内江科技
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내강과기
NEI JIANG KE JI
2013年
4期
12,8
,共2页
机械抛光%CMP%Fluent%数值模拟
機械拋光%CMP%Fluent%數值模擬
궤계포광%CMP%Fluent%수치모의
建立化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,简称CMP)的润滑流场三维模型,使用商用CFD软件Fluent对其流场进行数值模拟,可以看出CMP润滑流场的速度分布对晶片表面抛光有重要影响.通过对照数值模拟结果和理论值,表明使用Fluent仿真CMP的流场是合理可行的,为优化机械抛光的材料去除率和表面平整度提供理论支持.
建立化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing,簡稱CMP)的潤滑流場三維模型,使用商用CFD軟件Fluent對其流場進行數值模擬,可以看齣CMP潤滑流場的速度分佈對晶片錶麵拋光有重要影響.通過對照數值模擬結果和理論值,錶明使用Fluent倣真CMP的流場是閤理可行的,為優化機械拋光的材料去除率和錶麵平整度提供理論支持.
건립화학궤계포광(Chemical Mechanical Polishing,간칭CMP)적윤활류장삼유모형,사용상용CFD연건Fluent대기류장진행수치모의,가이간출CMP윤활류장적속도분포대정편표면포광유중요영향.통과대조수치모의결과화이론치,표명사용Fluent방진CMP적류장시합리가행적,위우화궤계포광적재료거제솔화표면평정도제공이론지지.
