微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2013年
2期
1-5
,共5页
静态存储器%稳定性%预充电%噪声容限%写容限%读电流
靜態存儲器%穩定性%預充電%譟聲容限%寫容限%讀電流
정태존저기%은정성%예충전%조성용한%사용한%독전류
针对8transistors (8T)静态随机存储器(SRAM)存储单元的基本结构,详细研究分析了影响存储单元稳定性性能的因素.为了提升SRAM的稳定性和控制SRAM面积,提出了一种提升稳定性的同时又能有效控制芯片面积的技术方案.在SMIC 40nm工艺条件下,验证了该技术方案,实现了预期的目标,其中稳定性大约提升10％左右.
針對8transistors (8T)靜態隨機存儲器(SRAM)存儲單元的基本結構,詳細研究分析瞭影響存儲單元穩定性性能的因素.為瞭提升SRAM的穩定性和控製SRAM麵積,提齣瞭一種提升穩定性的同時又能有效控製芯片麵積的技術方案.在SMIC 40nm工藝條件下,驗證瞭該技術方案,實現瞭預期的目標,其中穩定性大約提升10％左右.
침대8transistors (8T)정태수궤존저기(SRAM)존저단원적기본결구,상세연구분석료영향존저단원은정성성능적인소.위료제승SRAM적은정성화공제SRAM면적,제출료일충제승은정성적동시우능유효공제심편면적적기술방안.재SMIC 40nm공예조건하,험증료해기술방안,실현료예기적목표,기중은정성대약제승10％좌우.
