东南大学学报（自然科学版）
東南大學學報（自然科學版）
동남대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTHEAST UNIVERSITY
2013年
3期
473-477
,共5页
唐欣%黄风义%唐旭升%邵明驰
唐訢%黃風義%唐旭升%邵明馳
당흔%황풍의%당욱승%소명치
压控振荡器(VCO)%CMOS%IMT-advanced%UWB%相位噪声
壓控振盪器(VCO)%CMOS%IMT-advanced%UWB%相位譟聲
압공진탕기(VCO)%CMOS%IMT-advanced%UWB%상위조성
采用TSMC 0.13μm CMOS工艺设计了一款宽带电感电容压控振荡器(LC-VCO).LC-VCO采用互补型负阻结构,输出信号对称性较好,可以获得更好的相位噪声性能.为达到宽的调谐范围,核心电路采用4 bit可重构的开关电容调谐阵列以降低调谐电路增益,并使用可变电容在每段开关电容子频带上实现调谐.此外,压控振荡器的设计采用了开关电流源、开关交叉耦合对和噪声滤波等技术,以优化电路的相位噪声、功耗、振荡幅度等性能.整个芯片(包括焊盘)面积为1.11 mm×0.98 mm.测试结果表明,在1.2V电源电压下,UWB和IMT-A频段上压控振荡器所消耗的电流分别为3.0和5.6mA,压控振荡器的调谐范围为3.86 ～5.28和3.14～3.88GHz.在振荡频率3.534和4.155 GHz上,1 MHz频偏处,压控振荡器的相位噪声分别为-122和-119 dBc/Hz.
採用TSMC 0.13μm CMOS工藝設計瞭一款寬帶電感電容壓控振盪器(LC-VCO).LC-VCO採用互補型負阻結構,輸齣信號對稱性較好,可以穫得更好的相位譟聲性能.為達到寬的調諧範圍,覈心電路採用4 bit可重構的開關電容調諧陣列以降低調諧電路增益,併使用可變電容在每段開關電容子頻帶上實現調諧.此外,壓控振盪器的設計採用瞭開關電流源、開關交扠耦閤對和譟聲濾波等技術,以優化電路的相位譟聲、功耗、振盪幅度等性能.整箇芯片(包括銲盤)麵積為1.11 mm×0.98 mm.測試結果錶明,在1.2V電源電壓下,UWB和IMT-A頻段上壓控振盪器所消耗的電流分彆為3.0和5.6mA,壓控振盪器的調諧範圍為3.86 ～5.28和3.14～3.88GHz.在振盪頻率3.534和4.155 GHz上,1 MHz頻偏處,壓控振盪器的相位譟聲分彆為-122和-119 dBc/Hz.
채용TSMC 0.13μm CMOS공예설계료일관관대전감전용압공진탕기(LC-VCO).LC-VCO채용호보형부조결구,수출신호대칭성교호,가이획득경호적상위조성성능.위체도관적조해범위,핵심전로채용4 bit가중구적개관전용조해진렬이강저조해전로증익,병사용가변전용재매단개관전용자빈대상실현조해.차외,압공진탕기적설계채용료개관전류원、개관교차우합대화조성려파등기술,이우화전로적상위조성、공모、진탕폭도등성능.정개심편(포괄한반)면적위1.11 mm×0.98 mm.측시결과표명,재1.2V전원전압하,UWB화IMT-A빈단상압공진탕기소소모적전류분별위3.0화5.6mA,압공진탕기적조해범위위3.86 ～5.28화3.14～3.88GHz.재진탕빈솔3.534화4.155 GHz상,1 MHz빈편처,압공진탕기적상위조성분별위-122화-119 dBc/Hz.
