合肥工业大学学报（自然科学版）
閤肥工業大學學報（自然科學版）
합비공업대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HEFEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE)
2013年
5期
543-546
,共4页
马坡%于杰%叶未%唐雪莲%董琳玲
馬坡%于傑%葉未%唐雪蓮%董琳玲
마파%우걸%협미%당설련%동림령
第一性原理%晶格参数%电子结构%光学性质%过渡元素
第一性原理%晶格參數%電子結構%光學性質%過渡元素
제일성원리%정격삼수%전자결구%광학성질%과도원소
文章采用第一性原理的平面波赝势方法,对单晶Si掺杂4种过渡元素的体系从晶格参数、电子结构以及光学性质等方面进行了理论计算与研究.计算结果表明,在4种掺杂元素中,掺杂Cr元素的晶格参数、晶胞体积反而变小,晶胞能最低,体系也最稳定.从体系的电子结构分析发现,在单晶Si中掺杂这4种过渡元素时,掺杂Cr元素的体系杂化最为剧烈,吸收峰位于费米面以上的2.42～2.80 eV区域,是由Si的2p电子与Cr的3d轨道作用所致,在该区域的波长为443～513 nm,位于可见光区,同时掺杂Cr的体系最稳定.
文章採用第一性原理的平麵波贗勢方法,對單晶Si摻雜4種過渡元素的體繫從晶格參數、電子結構以及光學性質等方麵進行瞭理論計算與研究.計算結果錶明,在4種摻雜元素中,摻雜Cr元素的晶格參數、晶胞體積反而變小,晶胞能最低,體繫也最穩定.從體繫的電子結構分析髮現,在單晶Si中摻雜這4種過渡元素時,摻雜Cr元素的體繫雜化最為劇烈,吸收峰位于費米麵以上的2.42～2.80 eV區域,是由Si的2p電子與Cr的3d軌道作用所緻,在該區域的波長為443～513 nm,位于可見光區,同時摻雜Cr的體繫最穩定.
문장채용제일성원리적평면파안세방법,대단정Si참잡4충과도원소적체계종정격삼수、전자결구이급광학성질등방면진행료이론계산여연구.계산결과표명,재4충참잡원소중,참잡Cr원소적정격삼수、정포체적반이변소,정포능최저,체계야최은정.종체계적전자결구분석발현,재단정Si중참잡저4충과도원소시,참잡Cr원소적체계잡화최위극렬,흡수봉위우비미면이상적2.42～2.80 eV구역,시유Si적2p전자여Cr적3d궤도작용소치,재해구역적파장위443～513 nm,위우가견광구,동시참잡Cr적체계최은정.
