功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2013年
14期
2120-2123
,共4页
詹自力%司莉粉%李广伟%郭雪原%周志玉
詹自力%司莉粉%李廣偉%郭雪原%週誌玉
첨자력%사리분%리엄위%곽설원%주지옥
SnO2%表面修饰%热稳定性%晶界移动%气敏材料
SnO2%錶麵脩飾%熱穩定性%晶界移動%氣敏材料
SnO2%표면수식%열은정성%정계이동%기민재료
SnO2%surface modification%thermal stability%grain boundary movement%gas-sensing material
以3-氨丙基三乙氧基硅烷(3-APTES)为表面修饰剂,利用乙氧基与SnO2表面羟基之间的化学反应,将SiO2化学接枝于SnO2表面,以阻止SnO2晶粒热生长.采用SEM、TEM、FT-IR、XRD和EDS等技术对改性后纳米SnO2进行结构表征.结果表明,SiO2通过Sn—O—Si化学键与SnO2相连接,SiO2被高度分散于SnO2表面.经1000℃高温煅烧后,SnO2平均粒径改性前后分别为95和10nm.SiO2作为第二相,阻碍了晶界的移动,增加了晶粒生长活化能,从而有效地限制了晶粒高温生长,提高了纳米SnO2的热稳定性.
以3-氨丙基三乙氧基硅烷(3-APTES)為錶麵脩飾劑,利用乙氧基與SnO2錶麵羥基之間的化學反應,將SiO2化學接枝于SnO2錶麵,以阻止SnO2晶粒熱生長.採用SEM、TEM、FT-IR、XRD和EDS等技術對改性後納米SnO2進行結構錶徵.結果錶明,SiO2通過Sn—O—Si化學鍵與SnO2相連接,SiO2被高度分散于SnO2錶麵.經1000℃高溫煅燒後,SnO2平均粒徑改性前後分彆為95和10nm.SiO2作為第二相,阻礙瞭晶界的移動,增加瞭晶粒生長活化能,從而有效地限製瞭晶粒高溫生長,提高瞭納米SnO2的熱穩定性.
이3-안병기삼을양기규완(3-APTES)위표면수식제,이용을양기여SnO2표면간기지간적화학반응,장SiO2화학접지우SnO2표면,이조지SnO2정립열생장.채용SEM、TEM、FT-IR、XRD화EDS등기술대개성후납미SnO2진행결구표정.결과표명,SiO2통과Sn—O—Si화학건여SnO2상련접,SiO2피고도분산우SnO2표면.경1000℃고온단소후,SnO2평균립경개성전후분별위95화10nm.SiO2작위제이상,조애료정계적이동,증가료정립생장활화능,종이유효지한제료정립고온생장,제고료납미SnO2적열은정성.
