CAJ | 학술논문

采用优选出的密度泛函B3P86/cc-PVTZ方法对SiNN分子进行了基态结构的优化,然后使用合时密度泛函方法(Time-dependent density functional theory,TDDFT)计算了SiNN分子前7个激发态的激发能,吸收谱,跃迁振子强度等激发特性,进而在得到不同外电场下SiNN分子的基态稳定结构的基础上,研究了外电场作用下SiNN分子的激发特性.与无电场时的激发特性进行比较发现SiNN分子的激发能,吸收谱,跃迁振子强度在外电场作用下变化明显,特别是加场后使原来跃迁禁戒的能级之间发生了跃迁,出现了紫光区的376～401 nm波长的吸收谱,电子在各能级之间的跃迁能力也发生了很大改变.同时对SiNN分子可见光谱的产生机理也进行了分析,经理论分析发现SiNN分子有可见光波段的发射谱且数值与实验测量结果非常吻合.
채용우선출적밀도범함B3P86/cc-PVTZ방법대SiNN분자진행료기태결구적우화,연후사용합시밀도범함방법(Time-dependent density functional theory,TDDFT)계산료SiNN분자전7개격발태적격발능,흡수보,약천진자강도등격발특성,진이재득도불동외전장하SiNN분자적기태은정결구적기출상,연구료외전장작용하SiNN분자적격발특성.여무전장시적격발특성진행비교발현SiNN분자적격발능,흡수보,약천진자강도재외전장작용하변화명현,특별시가장후사원래약천금계적능급지간발생료약천,출현료자광구적376～401 nm파장적흡수보,전자재각능급지간적약천능력야발생료흔대개변.동시대SiNN분자가견광보적산생궤리야진행료분석,경이론분석발현SiNN분자유가견광파단적발사보차수치여실험측량결과비상문합.