氧空位对ZrSiO基MIM结构电容电学性能的影响
양공위대ZrSiO기MIM결구전용전학성능적영향
Influence of Oxygen Vacancies on the Electrical Properties of ZrSiO Thin Fims Based Metal-Insulator-Metal Structure Capacitor Applications
  • 万方数据
    集美大学学报（自然科学版） 집미대학학보（자연과학판）
    JOURNAL OF JIMEI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
    2013年 2期 157-160 ,共4页

    徐文彬%任高潮

    서문빈%임고조

    氧空位%MIM电容%ZrSiO 氧空位%MIM電容%ZrSiO
    양공위%MIM전용%ZrSiO
    研究了磁控溅射法制备得到的MIM结构ZrSiO薄膜电容,ZrSiO薄膜的制备以沉积时和沉积后退火过程中的氧气流量为主要工艺参数,重点讨论了由不同工艺条件导致的不同氧空位密度对漏电特性和电容-电压非线性等电学性能的影响.
    연구료자공천사법제비득도적MIM결구ZrSiO박막전용,ZrSiO박막적제비이침적시화침적후퇴화과정중적양기류량위주요공예삼수,중점토론료유불동공예조건도치적불동양공위밀도대루전특성화전용-전압비선성등전학성능적영향.
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