微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
6期
855-858
,共4页
AlGaN/GaN%高电子迁移率晶体管%RESURF%背电极
AlGaN/GaN%高電子遷移率晶體管%RESURF%揹電極
AlGaN/GaN%고전자천이솔정체관%RESURF%배전겁
AlGaN/GaN%HEMT%RESURF%Back electrode
针对常规AlGaN/GaN RESURF高电子迁移率晶体管(HEMT)中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出一种带背电极的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT结构.该背电极通过感应诱生负电荷调制器件沟道处的电力线分布,使栅漏之间的沟道横向电场分布更加均匀,从而提升器件击穿电压.仿真结果表明,对于栅漏间距为6 μm的器件,背电极的引入使器件击穿电压得到显著提升(从1 118 V增至1 670 V),同时对器件导通电阻几乎没有影响(从0.87 mΩ·cm2增至0.88 mΩ·cm2).研究结果为高耐压大功率AlGaN/GaN HEMT设计提供了一种新思路.
針對常規AlGaN/GaN RESURF高電子遷移率晶體管(HEMT)中由于溝道電場分佈不均勻而導緻擊穿電壓過低的問題,提齣一種帶揹電極的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT結構.該揹電極通過感應誘生負電荷調製器件溝道處的電力線分佈,使柵漏之間的溝道橫嚮電場分佈更加均勻,從而提升器件擊穿電壓.倣真結果錶明,對于柵漏間距為6 μm的器件,揹電極的引入使器件擊穿電壓得到顯著提升(從1 118 V增至1 670 V),同時對器件導通電阻幾乎沒有影響(從0.87 mΩ·cm2增至0.88 mΩ·cm2).研究結果為高耐壓大功率AlGaN/GaN HEMT設計提供瞭一種新思路.
침대상규AlGaN/GaN RESURF고전자천이솔정체관(HEMT)중유우구도전장분포불균균이도치격천전압과저적문제,제출일충대배전겁적신형AlGaN/GaN RESURF HEMT결구.해배전겁통과감응유생부전하조제기건구도처적전력선분포,사책루지간적구도횡향전장분포경가균균,종이제승기건격천전압.방진결과표명,대우책루간거위6 μm적기건,배전겁적인입사기건격천전압득도현저제승(종1 118 V증지1 670 V),동시대기건도통전조궤호몰유영향(종0.87 mΩ·cm2증지0.88 mΩ·cm2).연구결과위고내압대공솔AlGaN/GaN HEMT설계제공료일충신사로.
