微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
6期
846-849
,共4页
余屯%邱禹%刘欢%钟传杰
餘屯%邱禹%劉歡%鐘傳傑
여둔%구우%류환%종전걸
有机半导体材料%退火%有机薄膜晶体管%载流子迁移率
有機半導體材料%退火%有機薄膜晶體管%載流子遷移率
유궤반도체재료%퇴화%유궤박막정체관%재류자천이솔
Organic semiconductor material%Annealing%OTFT%Carrier mobility
采用溶液旋涂方法,以6,13-bis (Triisopropyl-silylethynyl) Pentacene(TIPS-pentacene)为有源层材料,制备了顶接触有机薄膜晶体管,研究了不同退火条件对OTFT器件性能的影响.实验结果表明,在用银浆做电极且其他条件相同的情况下,TIPS-pentacene的最佳退火温度为383 K;在10 h以内,退火时间越长,性能越好.在沟道长度L=200 μm、宽度W=5000μm、栅极电压Vg=40 V、漏极电压VDS=40 V、有源层退火温度383K、退火时间10 h的条件下,源漏饱和电流IDS达到1.9×10-6 A,载流子迁移率达到0.0084 cm2/(V·s).
採用溶液鏇塗方法,以6,13-bis (Triisopropyl-silylethynyl) Pentacene(TIPS-pentacene)為有源層材料,製備瞭頂接觸有機薄膜晶體管,研究瞭不同退火條件對OTFT器件性能的影響.實驗結果錶明,在用銀漿做電極且其他條件相同的情況下,TIPS-pentacene的最佳退火溫度為383 K;在10 h以內,退火時間越長,性能越好.在溝道長度L=200 μm、寬度W=5000μm、柵極電壓Vg=40 V、漏極電壓VDS=40 V、有源層退火溫度383K、退火時間10 h的條件下,源漏飽和電流IDS達到1.9×10-6 A,載流子遷移率達到0.0084 cm2/(V·s).
채용용액선도방법,이6,13-bis (Triisopropyl-silylethynyl) Pentacene(TIPS-pentacene)위유원층재료,제비료정접촉유궤박막정체관,연구료불동퇴화조건대OTFT기건성능적영향.실험결과표명,재용은장주전겁차기타조건상동적정황하,TIPS-pentacene적최가퇴화온도위383 K;재10 h이내,퇴화시간월장,성능월호.재구도장도L=200 μm、관도W=5000μm、책겁전압Vg=40 V、루겁전압VDS=40 V、유원층퇴화온도383K、퇴화시간10 h적조건하,원루포화전류IDS체도1.9×10-6 A,재류자천이솔체도0.0084 cm2/(V·s).
