微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
6期
742-746
,共5页
偏置电流源%基准电压源%全CMOS
偏置電流源%基準電壓源%全CMOS
편치전류원%기준전압원%전CMOS
Bias current source%Voltage reference source%All-CMOS
基于亚阈值区MOSFET器件栅源电压的负温度特性,以及两MOSFET串联中间结点电压的正温度特性,设计了一个新型基准电压源.与传统带隙基准电压源相比,该电路采用全CMOS器件,无电阻,具有功耗低、面积小的特点.另外,设计了一个高电源抑制比、低温漂的电流源为基准电压源提供偏置.对电路进行了理论分析和优化设计,采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺,在各工艺角下对电路进行仿真.仿真结果显示,该基准电源的输出电压为700mV左右,温漂系数约为8×105/℃,电源电压可低至1.2V,电源抑制比达到-62 dB@100 Hz,功耗仅为1.5μW.
基于亞閾值區MOSFET器件柵源電壓的負溫度特性,以及兩MOSFET串聯中間結點電壓的正溫度特性,設計瞭一箇新型基準電壓源.與傳統帶隙基準電壓源相比,該電路採用全CMOS器件,無電阻,具有功耗低、麵積小的特點.另外,設計瞭一箇高電源抑製比、低溫漂的電流源為基準電壓源提供偏置.對電路進行瞭理論分析和優化設計,採用SMIC 0.18 μm CMOS工藝,在各工藝角下對電路進行倣真.倣真結果顯示,該基準電源的輸齣電壓為700mV左右,溫漂繫數約為8×105/℃,電源電壓可低至1.2V,電源抑製比達到-62 dB@100 Hz,功耗僅為1.5μW.
기우아역치구MOSFET기건책원전압적부온도특성,이급량MOSFET천련중간결점전압적정온도특성,설계료일개신형기준전압원.여전통대극기준전압원상비,해전로채용전CMOS기건,무전조,구유공모저、면적소적특점.령외,설계료일개고전원억제비、저온표적전류원위기준전압원제공편치.대전로진행료이론분석화우화설계,채용SMIC 0.18 μm CMOS공예,재각공예각하대전로진행방진.방진결과현시,해기준전원적수출전압위700mV좌우,온표계수약위8×105/℃,전원전압가저지1.2V,전원억제비체도-62 dB@100 Hz,공모부위1.5μW.
