微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
6期
876-880
,共5页
章晓文%陈鹏%恩云飞%张晓雯
章曉文%陳鵬%恩雲飛%張曉雯
장효문%진붕%은운비%장효문
CMOS工艺%加速寿命试验%热载流子注入效应%可靠性评价
CMOS工藝%加速壽命試驗%熱載流子註入效應%可靠性評價
CMOS공예%가속수명시험%열재류자주입효응%가고성평개
CMOS process%Accelerated lifetime experiment%HCI effect%Reliability evaluation
研究了热载流子注入效应的可靠性评价方法,利用对数正态拟合的中位失效时间,提取加速寿命试验的模型参数.利用这些模型参数,分别评价了0.18 μm CMOS工艺薄栅和厚栅器件的可靠性.结果表明,HCI效应仍然制约着0.18μm CMOS工艺的可靠性水平.鉴于热载流子注入效应仍对深亚微米CMOS工艺的可靠性构成威胁,因此,要使产品的使用可靠性得到保证,必须对工艺线失效机理的可靠性进行有效的监测和评价,以保证生产出的产品满足使用方的要求.
研究瞭熱載流子註入效應的可靠性評價方法,利用對數正態擬閤的中位失效時間,提取加速壽命試驗的模型參數.利用這些模型參數,分彆評價瞭0.18 μm CMOS工藝薄柵和厚柵器件的可靠性.結果錶明,HCI效應仍然製約著0.18μm CMOS工藝的可靠性水平.鑒于熱載流子註入效應仍對深亞微米CMOS工藝的可靠性構成威脅,因此,要使產品的使用可靠性得到保證,必鬚對工藝線失效機理的可靠性進行有效的鑑測和評價,以保證生產齣的產品滿足使用方的要求.
연구료열재류자주입효응적가고성평개방법,이용대수정태의합적중위실효시간,제취가속수명시험적모형삼수.이용저사모형삼수,분별평개료0.18 μm CMOS공예박책화후책기건적가고성.결과표명,HCI효응잉연제약착0.18μm CMOS공예적가고성수평.감우열재류자주입효응잉대심아미미CMOS공예적가고성구성위협,인차,요사산품적사용가고성득도보증,필수대공예선실효궤리적가고성진행유효적감측화평개,이보증생산출적산품만족사용방적요구.
