固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
6期
542-546,577
,共6页
戴志伟%曾健平%杨浩%张海英%郑新年
戴誌偉%曾健平%楊浩%張海英%鄭新年
대지위%증건평%양호%장해영%정신년
低噪声放大器%赝配高电子迁移率晶体管%噪声最优阻抗匹配%光纤射频组网
低譟聲放大器%贗配高電子遷移率晶體管%譟聲最優阻抗匹配%光纖射頻組網
저조성방대기%안배고전자천이솔정체관%조성최우조항필배%광섬사빈조망
low noise amplifier(LNA)%pHEMT%impedance matching for optimum noise%radio on fiber network(RoF)
报道了一种基于0.5 μm赝配高电子迁移率晶体管工艺的两级级联结构的微波单片集成低噪声放大器.该低噪声放大器为光纤射频组网技术而研发,采用集总参数元件完成片上输入输出阻抗匹配,节省了芯片面积和成本.在50 Ω端口测试条件下,该低噪声放大器在2.3~2.4 GHz的频段内,噪声系数约为0.75 dB,增益大于25dB,在3.3V的工作电压下消耗32 mA的电流.与同频段同类型的低噪声放大器相比,文中报道的LNA具有突出的低噪声性能,这主要归因于依据晶体管的噪声最优阻抗匹配理论选取了合适的输入级放大管尺寸和一个具有极小寄生电阻的输入匹配网络以及pHEMT管本身优异的低噪声特性.
報道瞭一種基于0.5 μm贗配高電子遷移率晶體管工藝的兩級級聯結構的微波單片集成低譟聲放大器.該低譟聲放大器為光纖射頻組網技術而研髮,採用集總參數元件完成片上輸入輸齣阻抗匹配,節省瞭芯片麵積和成本.在50 Ω耑口測試條件下,該低譟聲放大器在2.3~2.4 GHz的頻段內,譟聲繫數約為0.75 dB,增益大于25dB,在3.3V的工作電壓下消耗32 mA的電流.與同頻段同類型的低譟聲放大器相比,文中報道的LNA具有突齣的低譟聲性能,這主要歸因于依據晶體管的譟聲最優阻抗匹配理論選取瞭閤適的輸入級放大管呎吋和一箇具有極小寄生電阻的輸入匹配網絡以及pHEMT管本身優異的低譟聲特性.
보도료일충기우0.5 μm안배고전자천이솔정체관공예적량급급련결구적미파단편집성저조성방대기.해저조성방대기위광섬사빈조망기술이연발,채용집총삼수원건완성편상수입수출조항필배,절성료심편면적화성본.재50 Ω단구측시조건하,해저조성방대기재2.3~2.4 GHz적빈단내,조성계수약위0.75 dB,증익대우25dB,재3.3V적공작전압하소모32 mA적전류.여동빈단동류형적저조성방대기상비,문중보도적LNA구유돌출적저조성성능,저주요귀인우의거정체관적조성최우조항필배이론선취료합괄적수입급방대관척촌화일개구유겁소기생전조적수입필배망락이급pHEMT관본신우이적저조성특성.