固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
6期
528-532
,共5页
Ka波段%微电子机械系统移相器%开关线%插入损耗
Ka波段%微電子機械繫統移相器%開關線%插入損耗
Ka파단%미전자궤계계통이상기%개관선%삽입손모
Ka-band%microelectromechanical systems (MEMS) phase shifter%switch line%insertion loss
报道了一款开关线型Ka波段MEMS移相器,采用了16只悬臂梁结构MEMS开关,实现了4位相移.采用阶梯阻抗共面波导(CPW)传输线设计,实现了一种新型而紧凑的移相器阻抗匹配的结构.采用RF MEMS低温表面牺牲层工艺,在高阻硅片上实现了单片4位MEMS移相器样品,在35 GHz频点,平均插入损耗-5.8 dB,16态相移误差≤8.5°,芯片尺寸5.3 mm×2.9 mm.分析MEMS移相器插损的构成,提出了降低MEMS移相器插损的工艺途径,预期Ka波段4位MEMS移相器的平均插损可降为-2.6 dB,满足低成本毫米波MEMS相控阵系统应用需求.
報道瞭一款開關線型Ka波段MEMS移相器,採用瞭16隻懸臂樑結構MEMS開關,實現瞭4位相移.採用階梯阻抗共麵波導(CPW)傳輸線設計,實現瞭一種新型而緊湊的移相器阻抗匹配的結構.採用RF MEMS低溫錶麵犧牲層工藝,在高阻硅片上實現瞭單片4位MEMS移相器樣品,在35 GHz頻點,平均插入損耗-5.8 dB,16態相移誤差≤8.5°,芯片呎吋5.3 mm×2.9 mm.分析MEMS移相器插損的構成,提齣瞭降低MEMS移相器插損的工藝途徑,預期Ka波段4位MEMS移相器的平均插損可降為-2.6 dB,滿足低成本毫米波MEMS相控陣繫統應用需求.
보도료일관개관선형Ka파단MEMS이상기,채용료16지현비량결구MEMS개관,실현료4위상이.채용계제조항공면파도(CPW)전수선설계,실현료일충신형이긴주적이상기조항필배적결구.채용RF MEMS저온표면희생층공예,재고조규편상실현료단편4위MEMS이상기양품,재35 GHz빈점,평균삽입손모-5.8 dB,16태상이오차≤8.5°,심편척촌5.3 mm×2.9 mm.분석MEMS이상기삽손적구성,제출료강저MEMS이상기삽손적공예도경,예기Ka파단4위MEMS이상기적평균삽손가강위-2.6 dB,만족저성본호미파MEMS상공진계통응용수구.
