材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2013年
z2期
128-130
,共3页
马继奎%陈明敬%王涛%王鹏杰%张东升%安海娇
馬繼奎%陳明敬%王濤%王鵬傑%張東升%安海嬌
마계규%진명경%왕도%왕붕걸%장동승%안해교
多晶硅%酸溶液腐蚀%表面织构化%腐蚀温度%电性能参数
多晶硅%痠溶液腐蝕%錶麵織構化%腐蝕溫度%電性能參數
다정규%산용액부식%표면직구화%부식온도%전성능삼수
multi-crystalline silicon%acid etching%texturization%etch temperature%electrical properties
用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜(SEM)分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系.结果表明:随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度.
用化學腐蝕方法織構多晶硅片錶麵,通過調整製程參數穫得腐蝕溫度分彆為12℃、17℃、22℃、29℃的4組樣品,利用掃描電子顯微鏡(SEM)分析化學腐蝕後多晶硅片錶麵狀態,通過反射譜的測試,分析瞭多晶硅片錶麵陷光效果,研究腐蝕溫度與後續各製程參數的關繫.結果錶明:隨著腐蝕溫度的升高,絨麵反射率、鍍膜膜厚逐漸升高,開路電壓、填充因子逐漸增大,短路電流逐漸減小,最終確定瞭最佳的腐蝕溫度.
용화학부식방법직구다정규편표면,통과조정제정삼수획득부식온도분별위12℃、17℃、22℃、29℃적4조양품,이용소묘전자현미경(SEM)분석화학부식후다정규편표면상태,통과반사보적측시,분석료다정규편표면함광효과,연구부식온도여후속각제정삼수적관계.결과표명:수착부식온도적승고,융면반사솔、도막막후축점승고,개로전압、전충인자축점증대,단로전류축점감소,최종학정료최가적부식온도.
