高技术通讯
高技術通訊
고기술통신
HIGH TECHNOLOGY LETTERS
2013年
1期
91-96
,共6页
数字电视广播(DVB)%CMOS%调谐器%混频器%优良指数(FOM)
數字電視廣播(DVB)%CMOS%調諧器%混頻器%優良指數(FOM)
수자전시엄파(DVB)%CMOS%조해기%혼빈기%우량지수(FOM)
采用0.13μm RF CMOS工艺设计并实现了一种应用于DVB-T/H数字电视广播系统调谐器的宽带下变频混频器,其工作频率为170MHz-1.675GHz.混频器使用吉尔伯特双平衡结构作为电路的核心单元,采用RC并联谐振电路作为负载以滤除输出高阶谐波,使用正交混频技术以有效抑制镜像干扰；通过采用电流注入技术,以减小流经开关管的电流,改善噪声系数,减小了负载上的直流压降,改善1.2V下混频器的直流工作状态；通过去除尾电流源以提高混频器的线性度.芯片测试结果表明,在1.2V的电源电压下,混频器转换增益为14.4dB,输入三阶截点为-3.05dBm,噪声系数为14.2dB,功耗为6mW.
採用0.13μm RF CMOS工藝設計併實現瞭一種應用于DVB-T/H數字電視廣播繫統調諧器的寬帶下變頻混頻器,其工作頻率為170MHz-1.675GHz.混頻器使用吉爾伯特雙平衡結構作為電路的覈心單元,採用RC併聯諧振電路作為負載以濾除輸齣高階諧波,使用正交混頻技術以有效抑製鏡像榦擾；通過採用電流註入技術,以減小流經開關管的電流,改善譟聲繫數,減小瞭負載上的直流壓降,改善1.2V下混頻器的直流工作狀態；通過去除尾電流源以提高混頻器的線性度.芯片測試結果錶明,在1.2V的電源電壓下,混頻器轉換增益為14.4dB,輸入三階截點為-3.05dBm,譟聲繫數為14.2dB,功耗為6mW.
채용0.13μm RF CMOS공예설계병실현료일충응용우DVB-T/H수자전시엄파계통조해기적관대하변빈혼빈기,기공작빈솔위170MHz-1.675GHz.혼빈기사용길이백특쌍평형결구작위전로적핵심단원,채용RC병련해진전로작위부재이려제수출고계해파,사용정교혼빈기술이유효억제경상간우；통과채용전류주입기술,이감소류경개관관적전류,개선조성계수,감소료부재상적직류압강,개선1.2V하혼빈기적직류공작상태；통과거제미전류원이제고혼빈기적선성도.심편측시결과표명,재1.2V적전원전압하,혼빈기전환증익위14.4dB,수입삼계절점위-3.05dBm,조성계수위14.2dB,공모위6mW.
