华侨大学学报（自然科学版）
華僑大學學報（自然科學版）
화교대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HUAQIAO UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2013年
2期
139-142
,共4页
GaAs%干法刻蚀%电感耦合等离子体%SiCl4%光滑表面
GaAs%榦法刻蝕%電感耦閤等離子體%SiCl4%光滑錶麵
GaAs%간법각식%전감우합등리자체%SiCl4%광활표면
利用SiCl4/Ar/H2气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀GaAs材料,研究反应气体流量、样品室压力、源功率RF1和RF2等参数对刻蚀速率的影响.结果表明:在反应气体SiCl4,Ar和H2的流量分别为2,4,1 mL· min-1,样品室压力为0.400 Pa,RF1和RF2的功率分别为120,500 W的最佳优化参数下,得到的刻蚀速率为486 nm·min-1,且同时满足垂直而光滑的台面.利用该优化后的配方刻蚀GaAs衬底10 min后,得到大面积的光滑表面,其粗糙度为0.20 nm.
利用SiCl4/Ar/H2氣體的電感耦閤等離子體(ICP)榦法刻蝕GaAs材料,研究反應氣體流量、樣品室壓力、源功率RF1和RF2等參數對刻蝕速率的影響.結果錶明:在反應氣體SiCl4,Ar和H2的流量分彆為2,4,1 mL· min-1,樣品室壓力為0.400 Pa,RF1和RF2的功率分彆為120,500 W的最佳優化參數下,得到的刻蝕速率為486 nm·min-1,且同時滿足垂直而光滑的檯麵.利用該優化後的配方刻蝕GaAs襯底10 min後,得到大麵積的光滑錶麵,其粗糙度為0.20 nm.
이용SiCl4/Ar/H2기체적전감우합등리자체(ICP)간법각식GaAs재료,연구반응기체류량、양품실압력、원공솔RF1화RF2등삼수대각식속솔적영향.결과표명:재반응기체SiCl4,Ar화H2적류량분별위2,4,1 mL· min-1,양품실압력위0.400 Pa,RF1화RF2적공솔분별위120,500 W적최가우화삼수하,득도적각식속솔위486 nm·min-1,차동시만족수직이광활적태면.이용해우화후적배방각식GaAs츤저10 min후,득도대면적적광활표면,기조조도위0.20 nm.
