功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2013年
3期
333-336
,共4页
李胜杰%刘国军%陈华%贾素秋
李勝傑%劉國軍%陳華%賈素鞦
리성걸%류국군%진화%가소추
稻草%制备%SiC晶须%VLS机理
稻草%製備%SiC晶鬚%VLS機理
도초%제비%SiC정수%VLS궤리
以废弃的稻草为原料,在1300～1400℃的氩气保护条件下制备SiC晶须.研究反应温度、反应时间、催化剂对SiC晶须制备的影响和反应机理.结果表明,SiC晶须在1350℃时生长最好；SiC晶须温度控制在1350℃左右为宜,采用先高温成核再低温保温的加热方式,反应时间控制在2h；碳化硅晶须主要以β型为主,同时含有少量α型SiC晶须.晶须以竹节状居多,晶须直径为10～200nm之间,长径比＞10.用Fe粉和H3 BO3作催化剂所生成的晶须较多,但其长径比较小.反应机理主要是VLS机理,以废弃稻草为原料制备SiC晶须为稻草应用提供了一种新的途径.
以廢棄的稻草為原料,在1300～1400℃的氬氣保護條件下製備SiC晶鬚.研究反應溫度、反應時間、催化劑對SiC晶鬚製備的影響和反應機理.結果錶明,SiC晶鬚在1350℃時生長最好；SiC晶鬚溫度控製在1350℃左右為宜,採用先高溫成覈再低溫保溫的加熱方式,反應時間控製在2h；碳化硅晶鬚主要以β型為主,同時含有少量α型SiC晶鬚.晶鬚以竹節狀居多,晶鬚直徑為10～200nm之間,長徑比＞10.用Fe粉和H3 BO3作催化劑所生成的晶鬚較多,但其長徑比較小.反應機理主要是VLS機理,以廢棄稻草為原料製備SiC晶鬚為稻草應用提供瞭一種新的途徑.
이폐기적도초위원료,재1300～1400℃적아기보호조건하제비SiC정수.연구반응온도、반응시간、최화제대SiC정수제비적영향화반응궤리.결과표명,SiC정수재1350℃시생장최호；SiC정수온도공제재1350℃좌우위의,채용선고온성핵재저온보온적가열방식,반응시간공제재2h；탄화규정수주요이β형위주,동시함유소량α형SiC정수.정수이죽절상거다,정수직경위10～200nm지간,장경비＞10.용Fe분화H3 BO3작최화제소생성적정수교다,단기장경비교소.반응궤리주요시VLS궤리,이폐기도초위원료제비SiC정수위도초응용제공료일충신적도경.
