金属基底上氧化物缓冲层的外延生长及表面形貌研究
금속기저상양화물완충층적외연생장급표면형모연구
Epitaxial growth of oxide buffer layers on metal substrates by reactive sputtering
  • 万方数据
    低温与超导 저온여초도
    CRYOGENICS AND SUPERCONDUCTIVITY
    2013年 3期 44-48 ,共5页

    邱文彬%范峰%赵荣%李敏娟%鲁玉明%刘志勇%蔡传兵

    구문빈%범봉%조영%리민연%로옥명%류지용%채전병

    直流反应溅射%双轴织构%涂层导体%缓冲层 直流反應濺射%雙軸織構%塗層導體%緩遲層
    직류반응천사%쌍축직구%도층도체%완충층
    采用直流反应磁控溅射在具有双轴织构的Ni-5％W基底上快速沉积了Y2 O3种子层,随后外延生长GdxZrl-xOy(x=0.5,0.1)和YSZ三种阻挡层.研究表明,Y2 O3能扩大和稳定后续薄膜的工艺窗口.X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析结果表明,三种薄膜c轴织构良好、表面平整致密,其中GSZ(x=0.5)具有最好的面内织构和表面形貌,面内半高宽(FWHM)5.8°,均方根粗糙度(RMS) 1.6 nm.
    채용직류반응자공천사재구유쌍축직구적Ni-5％W기저상쾌속침적료Y2 O3충자층,수후외연생장GdxZrl-xOy(x=0.5,0.1)화YSZ삼충조당층.연구표명,Y2 O3능확대화은정후속박막적공예창구.X사선연사(XRD)화원자력현미경(AFM)분석결과표명,삼충박막c축직구량호、표면평정치밀,기중GSZ(x=0.5)구유최호적면내직구화표면형모,면내반고관(FWHM)5.8°,균방근조조도(RMS) 1.6 nm.
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