CAJ | 학술논문

利用第一性原理研究N掺杂后的金刚石（100）和（111）表面的形成能和电子结构，结果表明，无论是金刚石（100）表面还是（111）表面，替位式N在不同的成键情况、不同的掺杂深度时，既可以得到n型金刚石又可以得到P型金刚石，并且得到的施主能级相比较块体要浅．随着N掺杂深度的增加所需形成能越来越大，这表明不能无限度被掺杂．从空间结构上看，优化后的体系中N与C及N与H间的化学键长均变短，这可能是由于N比C具有更强的电负性，使得N与其周围原子间的相互作用更强．
이용제일성원리연구N참잡후적금강석（100）화（111）표면적형성능화전자결구，결과표명，무론시금강석（100）표면환시（111）표면，체위식N재불동적성건정황、불동적참잡심도시，기가이득도n형금강석우가이득도P형금강석，병차득도적시주능급상비교괴체요천．수착N참잡심도적증가소수형성능월래월대，저표명불능무한도피참잡．종공간결구상간，우화후적체계중N여C급N여H간적화학건장균변단，저가능시유우N비C구유경강적전부성，사득N여기주위원자간적상호작용경강．
Formation energies and electronic properties of substitutional N-doped diamond (100) and (111) su-faces are studied using the first-principles density-functional theory. Our results indicate that both diamond (100) and (111) surface, the conductivity varies with the bonding natures and impurity concentration. When the n-type diamond is obtained, the donor levels are shallower comparing to bulk diamond.