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현대현시
ADVANCED DISPLAY
2012年
12期
5-9
,共5页
ZnS薄膜%In掺杂%真空热蒸发%光电性能%退火
ZnS薄膜%In摻雜%真空熱蒸髮%光電性能%退火
ZnS박막%In참잡%진공열증발%광전성능%퇴화
采用真空热蒸发工艺,在ITO基片上分别制备ZnS薄膜和In薄膜,在正交实验条件下,以2％掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度,在此基础上,研究了不同退火温度对ZnS:In薄膜的光、电性能的影响.
採用真空熱蒸髮工藝,在ITO基片上分彆製備ZnS薄膜和In薄膜,在正交實驗條件下,以2％摻雜濃度的In原子摻雜可穫得較高的載流子濃度,在此基礎上,研究瞭不同退火溫度對ZnS:In薄膜的光、電性能的影響.
채용진공열증발공예,재ITO기편상분별제비ZnS박막화In박막,재정교실험조건하,이2％참잡농도적In원자참잡가획득교고적재류자농도,재차기출상,연구료불동퇴화온도대ZnS:In박막적광、전성능적영향.
