分析化学
分析化學
분석화학
CHINESE JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY
2013年
5期
698-703
,共6页
纪建明%何秀霞%段潜%王振新
紀建明%何秀霞%段潛%王振新
기건명%하수하%단잠%왕진신
双槽电化学腐蚀法%多孔硅基底%蛋白质芯片%抗体检测
雙槽電化學腐蝕法%多孔硅基底%蛋白質芯片%抗體檢測
쌍조전화학부식법%다공규기저%단백질심편%항체검측
通过双槽电化学腐蚀法制备大面积(12mm×58mm)均匀的多孔硅片,以小鼠免疫球蛋白G(IgG)与兔抗小鼠IgG抗体的相互作用为模型,证明其表面修饰环氧基团后能作为一种基底材料用于蛋白质微阵列芯片的构建.结果表明,兔抗小鼠IgG抗体检测的灵敏度与多孔硅基底制备时所采用的腐蚀电流密度、腐蚀时间、氢氟酸浓度有关.当电流密度为500 mA/cm2,腐蚀时间为450 s,HF浓度为25%时,IgG在多孔硅基底上的固定量最大,IgG芯片对兔抗小鼠IgG抗体的检出限为10μg/L,检测线性范围为0.32~10.0 mg/L.本方法制备的大面积均匀的多孔硅基底能够应用于蛋白质芯片的制作,并具有制备工艺简单,蛋白质固定量大等优点.
通過雙槽電化學腐蝕法製備大麵積(12mm×58mm)均勻的多孔硅片,以小鼠免疫毬蛋白G(IgG)與兔抗小鼠IgG抗體的相互作用為模型,證明其錶麵脩飾環氧基糰後能作為一種基底材料用于蛋白質微陣列芯片的構建.結果錶明,兔抗小鼠IgG抗體檢測的靈敏度與多孔硅基底製備時所採用的腐蝕電流密度、腐蝕時間、氫氟痠濃度有關.噹電流密度為500 mA/cm2,腐蝕時間為450 s,HF濃度為25%時,IgG在多孔硅基底上的固定量最大,IgG芯片對兔抗小鼠IgG抗體的檢齣限為10μg/L,檢測線性範圍為0.32~10.0 mg/L.本方法製備的大麵積均勻的多孔硅基底能夠應用于蛋白質芯片的製作,併具有製備工藝簡單,蛋白質固定量大等優點.
통과쌍조전화학부식법제비대면적(12mm×58mm)균균적다공규편,이소서면역구단백G(IgG)여토항소서IgG항체적상호작용위모형,증명기표면수식배양기단후능작위일충기저재료용우단백질미진렬심편적구건.결과표명,토항소서IgG항체검측적령민도여다공규기저제비시소채용적부식전류밀도、부식시간、경불산농도유관.당전류밀도위500 mA/cm2,부식시간위450 s,HF농도위25%시,IgG재다공규기저상적고정량최대,IgG심편대토항소서IgG항체적검출한위10μg/L,검측선성범위위0.32~10.0 mg/L.본방법제비적대면적균균적다공규기저능구응용우단백질심편적제작,병구유제비공예간단,단백질고정량대등우점.