分析化学
分析化學
분석화학
CHINESE JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY
2013年
5期
687-692
,共6页
张伟%孟凡军%周美娟%李彭%赵静静%王怀生%刘继锋%张翀
張偉%孟凡軍%週美娟%李彭%趙靜靜%王懷生%劉繼鋒%張翀
장위%맹범군%주미연%리팽%조정정%왕부생%류계봉%장충
核酸碱基%电子转移%多层组装
覈痠堿基%電子轉移%多層組裝
핵산감기%전자전이%다층조장
巯基丙酸(MPA)、Mg2+以及含不同碱基的核苷酸(NTMP)(鸟苷酸GMP、腺苷酸AMP、尿苷酸UMP、胞苷酸CMP)逐步吸附到金电极上,制备末端为核酸碱基的组装膜,利用循环伏安(CV)、计时安培(CA)以及电化学交流阻抗技术(EIS)进行表征.结果表明,电子传递速率遵循以下顺序逐渐降低:GMP/Mg2+/MPA/Au＞ AMg2+/Mg2+/MPA/Au＞ UMP/Mg2+/MPA/Au＞ CMP/Mg2+/MPA/Au,量子化学计算多层膜组合体Mg-NTMP的能级差(△Egap=ELUMO--EHOMO)以一定的顺序增加:△EMg-GMP(0.89 eV) ＜△EMg-AMP(1.40 eV) ＜△EMg-UMP(1.57 eV) ＜△EMg-CMP(1.64 eV).这说明末端为核酸碱基的多层组装膜表面的电子转移过程中,组合体Mg-NT-MP的能级差△Egap决定电子穿越核酸碱基的速率.
巰基丙痠(MPA)、Mg2+以及含不同堿基的覈苷痠(NTMP)(鳥苷痠GMP、腺苷痠AMP、尿苷痠UMP、胞苷痠CMP)逐步吸附到金電極上,製備末耑為覈痠堿基的組裝膜,利用循環伏安(CV)、計時安培(CA)以及電化學交流阻抗技術(EIS)進行錶徵.結果錶明,電子傳遞速率遵循以下順序逐漸降低:GMP/Mg2+/MPA/Au＞ AMg2+/Mg2+/MPA/Au＞ UMP/Mg2+/MPA/Au＞ CMP/Mg2+/MPA/Au,量子化學計算多層膜組閤體Mg-NTMP的能級差(△Egap=ELUMO--EHOMO)以一定的順序增加:△EMg-GMP(0.89 eV) ＜△EMg-AMP(1.40 eV) ＜△EMg-UMP(1.57 eV) ＜△EMg-CMP(1.64 eV).這說明末耑為覈痠堿基的多層組裝膜錶麵的電子轉移過程中,組閤體Mg-NT-MP的能級差△Egap決定電子穿越覈痠堿基的速率.
구기병산(MPA)、Mg2+이급함불동감기적핵감산(NTMP)(조감산GMP、선감산AMP、뇨감산UMP、포감산CMP)축보흡부도금전겁상,제비말단위핵산감기적조장막,이용순배복안(CV)、계시안배(CA)이급전화학교류조항기술(EIS)진행표정.결과표명,전자전체속솔준순이하순서축점강저:GMP/Mg2+/MPA/Au＞ AMg2+/Mg2+/MPA/Au＞ UMP/Mg2+/MPA/Au＞ CMP/Mg2+/MPA/Au,양자화학계산다층막조합체Mg-NTMP적능급차(△Egap=ELUMO--EHOMO)이일정적순서증가:△EMg-GMP(0.89 eV) ＜△EMg-AMP(1.40 eV) ＜△EMg-UMP(1.57 eV) ＜△EMg-CMP(1.64 eV).저설명말단위핵산감기적다층조장막표면적전자전이과정중,조합체Mg-NT-MP적능급차△Egap결정전자천월핵산감기적속솔.
