发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
5期
629-633
,共5页
陈德强%姚博%吕文理%高鹏杰%彭应全
陳德彊%姚博%呂文理%高鵬傑%彭應全
진덕강%요박%려문리%고붕걸%팽응전
有机光敏场效应晶体管%酞菁钯%C60%异质结
有機光敏場效應晶體管%酞菁鈀%C60%異質結
유궤광민장효응정체관%태정파%C60%이질결
采用酞菁钯(PdPc)和C60两种有机半导体材料,通过真空热蒸镀法以不同的沉积顺序制备了两种不同结构的平面异质结有机光敏场效应管,并对这两种结构器件的光敏特性进行比较.在波长655 nm、光强100mW/cm2的光照条件下,结构为n+-Si/SiO2/PdPc/C60/Al(S&D)(PdPc/C60-OFET)器件的最大光暗比为2 ×103,光响应度为3 mA/W；而结构为n+-Si/SiO2/C60/PdPc/Al(S＆D)(C60/PdPc-OFET)器件的最大光暗比为3 ×103,光响应度为11 mA/W.实验结果表明C60/PdPc-OFET可以获得更好的光敏特性.
採用酞菁鈀(PdPc)和C60兩種有機半導體材料,通過真空熱蒸鍍法以不同的沉積順序製備瞭兩種不同結構的平麵異質結有機光敏場效應管,併對這兩種結構器件的光敏特性進行比較.在波長655 nm、光彊100mW/cm2的光照條件下,結構為n+-Si/SiO2/PdPc/C60/Al(S&D)(PdPc/C60-OFET)器件的最大光暗比為2 ×103,光響應度為3 mA/W；而結構為n+-Si/SiO2/C60/PdPc/Al(S＆D)(C60/PdPc-OFET)器件的最大光暗比為3 ×103,光響應度為11 mA/W.實驗結果錶明C60/PdPc-OFET可以穫得更好的光敏特性.
채용태정파(PdPc)화C60량충유궤반도체재료,통과진공열증도법이불동적침적순서제비료량충불동결구적평면이질결유궤광민장효응관,병대저량충결구기건적광민특성진행비교.재파장655 nm、광강100mW/cm2적광조조건하,결구위n+-Si/SiO2/PdPc/C60/Al(S&D)(PdPc/C60-OFET)기건적최대광암비위2 ×103,광향응도위3 mA/W；이결구위n+-Si/SiO2/C60/PdPc/Al(S＆D)(C60/PdPc-OFET)기건적최대광암비위3 ×103,광향응도위11 mA/W.실험결과표명C60/PdPc-OFET가이획득경호적광민특성.
