发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
5期
623-628
,共6页
李梅娇%李凯%朱明军%郭志友%孙慧卿
李梅嬌%李凱%硃明軍%郭誌友%孫慧卿
리매교%리개%주명군%곽지우%손혜경
近紫外发光二极管%多量子阱%垒层%AlGaN
近紫外髮光二極管%多量子阱%壘層%AlGaN
근자외발광이겁관%다양자정%루층%AlGaN
模拟分析了有源区不同垒层对380 nm近紫外发光二极管的内量子效率、电子空穴浓度分布、辐射复合效率等产生的影响.有源区垒层材料分别选用GaN、Al0.1Ga0.9N、Al0.1Ga0.9N/Al0.15Ga0.85N/Al0.1Ga0.9N,其中3层AlGaN的厚度比分别为6nn/8nn/6nm和7nm/6nm/7nm.对比分析发现,与GaN垒层相比,选用AlGaN系列垒层可以将更多的载流子限制在有源区内,空穴浓度可以提高近一个数量级,辐射复合效率可以提高2～10倍；3层AlGaN垒层相对于单一AlGaN垒层,载流子分布更加均匀,辐射复合效率可以提高7倍以上,内量子效率可以提高14.5％；采用不同厚度比的3层AlGaN垒层结构可以微调能带的倾斜程度,进一步减小极化效应.可以调节合适的厚度比减小极化效应对于载流子分布及内量子效率的影响.
模擬分析瞭有源區不同壘層對380 nm近紫外髮光二極管的內量子效率、電子空穴濃度分佈、輻射複閤效率等產生的影響.有源區壘層材料分彆選用GaN、Al0.1Ga0.9N、Al0.1Ga0.9N/Al0.15Ga0.85N/Al0.1Ga0.9N,其中3層AlGaN的厚度比分彆為6nn/8nn/6nm和7nm/6nm/7nm.對比分析髮現,與GaN壘層相比,選用AlGaN繫列壘層可以將更多的載流子限製在有源區內,空穴濃度可以提高近一箇數量級,輻射複閤效率可以提高2～10倍；3層AlGaN壘層相對于單一AlGaN壘層,載流子分佈更加均勻,輻射複閤效率可以提高7倍以上,內量子效率可以提高14.5％；採用不同厚度比的3層AlGaN壘層結構可以微調能帶的傾斜程度,進一步減小極化效應.可以調節閤適的厚度比減小極化效應對于載流子分佈及內量子效率的影響.
모의분석료유원구불동루층대380 nm근자외발광이겁관적내양자효솔、전자공혈농도분포、복사복합효솔등산생적영향.유원구루층재료분별선용GaN、Al0.1Ga0.9N、Al0.1Ga0.9N/Al0.15Ga0.85N/Al0.1Ga0.9N,기중3층AlGaN적후도비분별위6nn/8nn/6nm화7nm/6nm/7nm.대비분석발현,여GaN루층상비,선용AlGaN계렬루층가이장경다적재류자한제재유원구내,공혈농도가이제고근일개수량급,복사복합효솔가이제고2～10배；3층AlGaN루층상대우단일AlGaN루층,재류자분포경가균균,복사복합효솔가이제고7배이상,내양자효솔가이제고14.5％；채용불동후도비적3층AlGaN루층결구가이미조능대적경사정도,진일보감소겁화효응.가이조절합괄적후도비감소겁화효응대우재류자분포급내양자효솔적영향.
