光学精密工程
光學精密工程
광학정밀공정
OPTICS AND PRECISION ENGINEERING
2013年
1期
20-25
,共6页
王加贤%林正怀%张培%吴志军
王加賢%林正懷%張培%吳誌軍
왕가현%림정부%장배%오지군
半导体复合薄膜%Ge-SiO2薄膜%Ge/Al-SiO2薄膜%非线性吸收%被动调Q%被动锁模
半導體複閤薄膜%Ge-SiO2薄膜%Ge/Al-SiO2薄膜%非線性吸收%被動調Q%被動鎖模
반도체복합박막%Ge-SiO2박막%Ge/Al-SiO2박막%비선성흡수%피동조Q%피동쇄모
采用射频磁控溅射技术制备了Ge掺二氧化硅(Ge-SiO2)和Ge,Al共掺二氧化硅(Ge/Al-SiO2)两种复合薄膜,并进行了热退火处理形成了纳米Ge镶嵌结构.通过紫外-可见吸收谱测量,确定了两种薄膜中纳米Ge的光学带隙,并采用皮秒激光Z-扫描技术研究了薄膜的非线性光学性质.测试结果显示,在1 064 nm激发下得到的Ge-SiO2和Ge/Al-SiO2薄膜的非线性吸收系数分别为-1.23×10-7 m/V和4.35×10-8 m/W,前者为饱和吸收,而后者为双光子吸收.把两种薄膜作为可饱和吸收体均可实现1.06 μm激光的被动调Q和被动锁模运转.与Ge-SiO2薄膜比较,采用Ge/Al-SiO2薄膜可以获得较窄的调Q脉冲和锁模脉冲.最后,理论分析和实验比较了两种薄膜实现被动调Q和锁模的机理.
採用射頻磁控濺射技術製備瞭Ge摻二氧化硅(Ge-SiO2)和Ge,Al共摻二氧化硅(Ge/Al-SiO2)兩種複閤薄膜,併進行瞭熱退火處理形成瞭納米Ge鑲嵌結構.通過紫外-可見吸收譜測量,確定瞭兩種薄膜中納米Ge的光學帶隙,併採用皮秒激光Z-掃描技術研究瞭薄膜的非線性光學性質.測試結果顯示,在1 064 nm激髮下得到的Ge-SiO2和Ge/Al-SiO2薄膜的非線性吸收繫數分彆為-1.23×10-7 m/V和4.35×10-8 m/W,前者為飽和吸收,而後者為雙光子吸收.把兩種薄膜作為可飽和吸收體均可實現1.06 μm激光的被動調Q和被動鎖模運轉.與Ge-SiO2薄膜比較,採用Ge/Al-SiO2薄膜可以穫得較窄的調Q脈遲和鎖模脈遲.最後,理論分析和實驗比較瞭兩種薄膜實現被動調Q和鎖模的機理.
채용사빈자공천사기술제비료Ge참이양화규(Ge-SiO2)화Ge,Al공참이양화규(Ge/Al-SiO2)량충복합박막,병진행료열퇴화처리형성료납미Ge양감결구.통과자외-가견흡수보측량,학정료량충박막중납미Ge적광학대극,병채용피초격광Z-소묘기술연구료박막적비선성광학성질.측시결과현시,재1 064 nm격발하득도적Ge-SiO2화Ge/Al-SiO2박막적비선성흡수계수분별위-1.23×10-7 m/V화4.35×10-8 m/W,전자위포화흡수,이후자위쌍광자흡수.파량충박막작위가포화흡수체균가실현1.06 μm격광적피동조Q화피동쇄모운전.여Ge-SiO2박막비교,채용Ge/Al-SiO2박막가이획득교착적조Q맥충화쇄모맥충.최후,이론분석화실험비교료량충박막실현피동조Q화쇄모적궤리.
