电源技术
電源技術
전원기술
CHINESE JOURNAL OF POWER SOURCES
2013年
1期
47-50
,共4页
曹全君%李祖渠%彭银生%吴能友%贾立新
曹全君%李祖渠%彭銀生%吳能友%賈立新
조전군%리조거%팽은생%오능우%가립신
非晶硅%太阳电池%TCAD%反射层
非晶硅%太暘電池%TCAD%反射層
비정규%태양전지%TCAD%반사층
基于Sentaurus TCAD数值分析平台,采用非晶硅的DOS模型对禁带中缺陷态进行表征,建立a-Si:H薄膜太阳电池的二维数值模型.对P-I-N结构的非晶硅太阳电池的本征区、P型区、N区以及P/I界面的特性进行研究,得到参数与薄膜太阳电池性能之间的关系.通过电池物理和结构参数的优化,在界面处引入ZnO作为反射层,优化得到太阳电池填充因子为74.7％,AM1.5下光电转换效率为10.1％,表明采用TCAD数值仿真可有效用于非晶硅太阳电池本征参数和反射层的优化设计,提高电池转换效率.
基于Sentaurus TCAD數值分析平檯,採用非晶硅的DOS模型對禁帶中缺陷態進行錶徵,建立a-Si:H薄膜太暘電池的二維數值模型.對P-I-N結構的非晶硅太暘電池的本徵區、P型區、N區以及P/I界麵的特性進行研究,得到參數與薄膜太暘電池性能之間的關繫.通過電池物理和結構參數的優化,在界麵處引入ZnO作為反射層,優化得到太暘電池填充因子為74.7％,AM1.5下光電轉換效率為10.1％,錶明採用TCAD數值倣真可有效用于非晶硅太暘電池本徵參數和反射層的優化設計,提高電池轉換效率.
기우Sentaurus TCAD수치분석평태,채용비정규적DOS모형대금대중결함태진행표정,건립a-Si:H박막태양전지적이유수치모형.대P-I-N결구적비정규태양전지적본정구、P형구、N구이급P/I계면적특성진행연구,득도삼수여박막태양전지성능지간적관계.통과전지물리화결구삼수적우화,재계면처인입ZnO작위반사층,우화득도태양전지전충인자위74.7％,AM1.5하광전전환효솔위10.1％,표명채용TCAD수치방진가유효용우비정규태양전지본정삼수화반사층적우화설계,제고전지전환효솔.
