材料工程
材料工程
재료공정
JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING
2013年
1期
21-24
,共4页
薛晋波%李雪方%梁伟%王红霞
薛晉波%李雪方%樑偉%王紅霞
설진파%리설방%량위%왕홍하
电化学沉积%TiO2纳米管%沉积电压%CdSe纳米晶薄膜
電化學沉積%TiO2納米管%沉積電壓%CdSe納米晶薄膜
전화학침적%TiO2납미관%침적전압%CdSe납미정박막
以SeO2·CdCl2·5/2H2O,H2SO4为原料,采用三电极体系,分别在ITO玻璃和TiO2纳米管阵列基底上沉积CdSe薄膜.研究了不同沉积电压(-0.6,-0.7,-0.8,-0.9V,均相对于SCE)下制备的复合薄膜的晶体结构和微观形貌,并测试了其光电性能.结果表明:制备出的纳米粒子呈不均匀团聚状态；随沉积电压的增大,光吸收增强,光响应电流增大,在沉积电压为-0.8V时复合薄膜的光响应电流达到最大值,但此沉积电压下的薄膜容易剥落.综合考虑薄膜质量和光响应电流,沉积电压为-0.7V时制备的复合薄膜最佳.
以SeO2·CdCl2·5/2H2O,H2SO4為原料,採用三電極體繫,分彆在ITO玻璃和TiO2納米管陣列基底上沉積CdSe薄膜.研究瞭不同沉積電壓(-0.6,-0.7,-0.8,-0.9V,均相對于SCE)下製備的複閤薄膜的晶體結構和微觀形貌,併測試瞭其光電性能.結果錶明:製備齣的納米粒子呈不均勻糰聚狀態；隨沉積電壓的增大,光吸收增彊,光響應電流增大,在沉積電壓為-0.8V時複閤薄膜的光響應電流達到最大值,但此沉積電壓下的薄膜容易剝落.綜閤攷慮薄膜質量和光響應電流,沉積電壓為-0.7V時製備的複閤薄膜最佳.
이SeO2·CdCl2·5/2H2O,H2SO4위원료,채용삼전겁체계,분별재ITO파리화TiO2납미관진렬기저상침적CdSe박막.연구료불동침적전압(-0.6,-0.7,-0.8,-0.9V,균상대우SCE)하제비적복합박막적정체결구화미관형모,병측시료기광전성능.결과표명:제비출적납미입자정불균균단취상태；수침적전압적증대,광흡수증강,광향응전류증대,재침적전압위-0.8V시복합박막적광향응전류체도최대치,단차침적전압하적박막용역박락.종합고필박막질량화광향응전류,침적전압위-0.7V시제비적복합박막최가.
