传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2013年
2期
63-65,69
,共4页
田学东%薛晨阳%王永存%刘俊%唐军
田學東%薛晨暘%王永存%劉俊%唐軍
전학동%설신양%왕영존%류준%당군
高电子迁移率晶体管%砷化镓%力电耦合系数%传感器
高電子遷移率晶體管%砷化鎵%力電耦閤繫數%傳感器
고전자천이솔정체관%신화가%력전우합계수%전감기
设计加工了一种GaAs基高电子迁移率晶体管(HEMT)嵌入式微加速度传感器结构,通过软件仿真和实验测试相结合的方法,研究了所设计的微结构在平行于HEMT生长方向上(Z方向)不同加速度作用下敏感单元HEMT的力电耦合特性.实验结果表明:GaAs基HEMT微加速度传感器在其低量程范围内(0～15gn)敏感单元HEMT的力电耦合系数较稳定,且其力电耦合系数为10-8数量级,比常规Si压阻式加速度传感器的力电耦合系数10-10高出2个数量级.
設計加工瞭一種GaAs基高電子遷移率晶體管(HEMT)嵌入式微加速度傳感器結構,通過軟件倣真和實驗測試相結閤的方法,研究瞭所設計的微結構在平行于HEMT生長方嚮上(Z方嚮)不同加速度作用下敏感單元HEMT的力電耦閤特性.實驗結果錶明:GaAs基HEMT微加速度傳感器在其低量程範圍內(0～15gn)敏感單元HEMT的力電耦閤繫數較穩定,且其力電耦閤繫數為10-8數量級,比常規Si壓阻式加速度傳感器的力電耦閤繫數10-10高齣2箇數量級.
설계가공료일충GaAs기고전자천이솔정체관(HEMT)감입식미가속도전감기결구,통과연건방진화실험측시상결합적방법,연구료소설계적미결구재평행우HEMT생장방향상(Z방향)불동가속도작용하민감단원HEMT적력전우합특성.실험결과표명:GaAs기HEMT미가속도전감기재기저량정범위내(0～15gn)민감단원HEMT적력전우합계수교은정,차기력전우합계수위10-8수량급,비상규Si압조식가속도전감기적력전우합계수10-10고출2개수량급.
