现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2013年
4期
130-132
,共3页
LDO%电源管理电路%低功耗设计%双阱CMOS工艺
LDO%電源管理電路%低功耗設計%雙阱CMOS工藝
LDO%전원관리전로%저공모설계%쌍정CMOS공예
设计一种低电压低静态电流的线性差稳压器.传统结构的LDO具有独立的带隙基准电压源和误差放大器,在提出一种创新结构的LDO,把带隙基准电压源和误差放大器合二为一,因而实现了低静态电流消耗的目的.设计采用CSMC0.5μm双阱CMOS工艺进行仿真模拟,这种结构LDO在轻负载情况下静态电流仅为1.7 μA,输出暂态电压最大变化为9 mV.
設計一種低電壓低靜態電流的線性差穩壓器.傳統結構的LDO具有獨立的帶隙基準電壓源和誤差放大器,在提齣一種創新結構的LDO,把帶隙基準電壓源和誤差放大器閤二為一,因而實現瞭低靜態電流消耗的目的.設計採用CSMC0.5μm雙阱CMOS工藝進行倣真模擬,這種結構LDO在輕負載情況下靜態電流僅為1.7 μA,輸齣暫態電壓最大變化為9 mV.
설계일충저전압저정태전류적선성차은압기.전통결구적LDO구유독립적대극기준전압원화오차방대기,재제출일충창신결구적LDO,파대극기준전압원화오차방대기합이위일,인이실현료저정태전류소모적목적.설계채용CSMC0.5μm쌍정CMOS공예진행방진모의,저충결구LDO재경부재정황하정태전류부위1.7 μA,수출잠태전압최대변화위9 mV.
