中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2013年
8期
28-35
,共8页
王晓东%段宗明%周倩%王曾祺%李智群
王曉東%段宗明%週倩%王曾祺%李智群
왕효동%단종명%주천%왕증기%리지군
AESA%收发前端%低噪声放大器%混频器%可变增益放大器
AESA%收髮前耑%低譟聲放大器%混頻器%可變增益放大器
AESA%수발전단%저조성방대기%혼빈기%가변증익방대기
采用0.18μm Si RFCMOS工艺设计了应用于S波段AESA的高集成度射频收发前端芯片.系统由发射与接收前端组成,包括低噪声放大器、混频器、可变增益放大器、驱动放大器和带隙基准电路.后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,发射前端工作电流为85mA,输出1dB压缩点为5.0dBm,射频输出在2 ～3.5GHz频带内电压增益为6.3～9.2dB,噪声系数小于14.5dB;接收前端工作电流为50mA,输入1dB压缩点为-5.6dBm,射频输入在2～ 3.5GHz频带内电压增益为12 ～ 14.5dB,噪声系数小于11 dB;所有端口电压驻波比均小于1.8；芯片面积1.8×2.6mm2.
採用0.18μm Si RFCMOS工藝設計瞭應用于S波段AESA的高集成度射頻收髮前耑芯片.繫統由髮射與接收前耑組成,包括低譟聲放大器、混頻器、可變增益放大器、驅動放大器和帶隙基準電路.後倣真結果錶明,在3.3V電源電壓下,髮射前耑工作電流為85mA,輸齣1dB壓縮點為5.0dBm,射頻輸齣在2 ～3.5GHz頻帶內電壓增益為6.3～9.2dB,譟聲繫數小于14.5dB;接收前耑工作電流為50mA,輸入1dB壓縮點為-5.6dBm,射頻輸入在2～ 3.5GHz頻帶內電壓增益為12 ～ 14.5dB,譟聲繫數小于11 dB;所有耑口電壓駐波比均小于1.8；芯片麵積1.8×2.6mm2.
채용0.18μm Si RFCMOS공예설계료응용우S파단AESA적고집성도사빈수발전단심편.계통유발사여접수전단조성,포괄저조성방대기、혼빈기、가변증익방대기、구동방대기화대극기준전로.후방진결과표명,재3.3V전원전압하,발사전단공작전류위85mA,수출1dB압축점위5.0dBm,사빈수출재2 ～3.5GHz빈대내전압증익위6.3～9.2dB,조성계수소우14.5dB;접수전단공작전류위50mA,수입1dB압축점위-5.6dBm,사빈수입재2～ 3.5GHz빈대내전압증익위12 ～ 14.5dB,조성계수소우11 dB;소유단구전압주파비균소우1.8；심편면적1.8×2.6mm2.
