电子科技
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전자과기
IT AGE
2013年
8期
26-29
,共4页
结势垒肖特基二极管%导通压降%击穿电压%反向漏电流
結勢壘肖特基二極管%導通壓降%擊穿電壓%反嚮漏電流
결세루초특기이겁관%도통압강%격천전압%반향루전류
为增强器件的反向耐压能力,降低器件的漏电功耗,采用Silvaco TCAD对沟槽底部具有Si02间隔的结势垒肖特基二极管(TSOB)的器件特性进行了仿真研究.通过优化参数来改善导通压降(K)-反向漏电流(IR)和击穿电压的折衷关系.室温下,沟槽深度为2.2 μm时,器件的击穿电压达到1 610 V.正向导通压降为2.1V,在VF=3V时正向电流密度为199 A/cm2.为进一步改善器件的反向阻断特性,在P型多晶硅掺杂的有源区生成一层Si02来优化漂移区电场分布,此时改善的器件结构在维持正向导通压降2.1V的前提下,击穿电压达到1 821V,增加了13％.在1000V反向偏置电压下,反向漏电流密度比普通结构降低了87％,有效降低了器件的漏电功耗.普通器件结构的开/关电流比为2.6 ×103(1 V/-500 V),而改善的结构为1.3×104(1 V/-500 V).
為增彊器件的反嚮耐壓能力,降低器件的漏電功耗,採用Silvaco TCAD對溝槽底部具有Si02間隔的結勢壘肖特基二極管(TSOB)的器件特性進行瞭倣真研究.通過優化參數來改善導通壓降(K)-反嚮漏電流(IR)和擊穿電壓的摺衷關繫.室溫下,溝槽深度為2.2 μm時,器件的擊穿電壓達到1 610 V.正嚮導通壓降為2.1V,在VF=3V時正嚮電流密度為199 A/cm2.為進一步改善器件的反嚮阻斷特性,在P型多晶硅摻雜的有源區生成一層Si02來優化漂移區電場分佈,此時改善的器件結構在維持正嚮導通壓降2.1V的前提下,擊穿電壓達到1 821V,增加瞭13％.在1000V反嚮偏置電壓下,反嚮漏電流密度比普通結構降低瞭87％,有效降低瞭器件的漏電功耗.普通器件結構的開/關電流比為2.6 ×103(1 V/-500 V),而改善的結構為1.3×104(1 V/-500 V).
위증강기건적반향내압능력,강저기건적루전공모,채용Silvaco TCAD대구조저부구유Si02간격적결세루초특기이겁관(TSOB)적기건특성진행료방진연구.통과우화삼수래개선도통압강(K)-반향루전류(IR)화격천전압적절충관계.실온하,구조심도위2.2 μm시,기건적격천전압체도1 610 V.정향도통압강위2.1V,재VF=3V시정향전류밀도위199 A/cm2.위진일보개선기건적반향조단특성,재P형다정규참잡적유원구생성일층Si02래우화표이구전장분포,차시개선적기건결구재유지정향도통압강2.1V적전제하,격천전압체도1 821V,증가료13％.재1000V반향편치전압하,반향루전류밀도비보통결구강저료87％,유효강저료기건적루전공모.보통기건결구적개/관전류비위2.6 ×103(1 V/-500 V),이개선적결구위1.3×104(1 V/-500 V).
