电子技术应用
電子技術應用
전자기술응용
APPLICATION OF ELECTRONIC TECHNIQUE
2013年
5期
35-37,40
,共4页
带隙基准%电源抑制比%二次温漂补偿
帶隙基準%電源抑製比%二次溫漂補償
대극기준%전원억제비%이차온표보상
设计并实现了一种新的高PSRR、低TC带隙基准源.重点研究了带隙基准源电源抑制能力,尤其是高频PSRR,达到宽频带范围PSRR高性能指标.采用0.35 μm BiCMOS工艺进行仿真,结果表明,PSRR在1 Hz频率下达-108.5 dB,在15 MHz频率下达-58.9 dB；采用二次温漂补偿电路使得带隙基准源常温下输出参考电压1.183 V,在-40℃～95℃温度范围内,温漂系数低达1.5 ppm/℃.
設計併實現瞭一種新的高PSRR、低TC帶隙基準源.重點研究瞭帶隙基準源電源抑製能力,尤其是高頻PSRR,達到寬頻帶範圍PSRR高性能指標.採用0.35 μm BiCMOS工藝進行倣真,結果錶明,PSRR在1 Hz頻率下達-108.5 dB,在15 MHz頻率下達-58.9 dB；採用二次溫漂補償電路使得帶隙基準源常溫下輸齣參攷電壓1.183 V,在-40℃～95℃溫度範圍內,溫漂繫數低達1.5 ppm/℃.
설계병실현료일충신적고PSRR、저TC대극기준원.중점연구료대극기준원전원억제능력,우기시고빈PSRR,체도관빈대범위PSRR고성능지표.채용0.35 μm BiCMOS공예진행방진,결과표명,PSRR재1 Hz빈솔하체-108.5 dB,재15 MHz빈솔하체-58.9 dB；채용이차온표보상전로사득대극기준원상온하수출삼고전압1.183 V,재-40℃～95℃온도범위내,온표계수저체1.5 ppm/℃.
