功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2012年
12期
1545-1547,1552
,共4页
杜明辉%姜庆华%彭增伟%刘保亭
杜明輝%薑慶華%彭增偉%劉保亭
두명휘%강경화%팽증위%류보정
掺锰铁酸铋%光%漏电流%电滞回线
摻錳鐵痠鉍%光%漏電流%電滯迴線
참맹철산필%광%루전류%전체회선
采用溶胶-凝胶的方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了5％Mn掺杂的BiFeO3(BFMO)薄膜,并构建了Pt/BFMO/Pt对称型电容器,研究了紫光对多晶BFMO薄膜铁电性及J-V特性的影响.实验发现,在紫光的照射下,薄膜的电导增大,这是由于紫光入射在BFMO薄膜上,产生了光生我流子.当外加电压为5V时,漏电流密度由9.1mA/cm2增大到16.3mA/cm2.Pt和BFMO的接触满足金属-半导体理论中的欧姆接触,并且光的存在并没有改变Pt/BFMO/Pt电容器的漏电流机制.当光入射到薄膜表面,样品的剩余极化强度增大,由无光时的91.7μC/cm2增大到光照时的99.9μC/cm2.
採用溶膠-凝膠的方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上製備瞭5％Mn摻雜的BiFeO3(BFMO)薄膜,併構建瞭Pt/BFMO/Pt對稱型電容器,研究瞭紫光對多晶BFMO薄膜鐵電性及J-V特性的影響.實驗髮現,在紫光的照射下,薄膜的電導增大,這是由于紫光入射在BFMO薄膜上,產生瞭光生我流子.噹外加電壓為5V時,漏電流密度由9.1mA/cm2增大到16.3mA/cm2.Pt和BFMO的接觸滿足金屬-半導體理論中的歐姆接觸,併且光的存在併沒有改變Pt/BFMO/Pt電容器的漏電流機製.噹光入射到薄膜錶麵,樣品的剩餘極化彊度增大,由無光時的91.7μC/cm2增大到光照時的99.9μC/cm2.
채용용효-응효적방법재Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)기편상제비료5％Mn참잡적BiFeO3(BFMO)박막,병구건료Pt/BFMO/Pt대칭형전용기,연구료자광대다정BFMO박막철전성급J-V특성적영향.실험발현,재자광적조사하,박막적전도증대,저시유우자광입사재BFMO박막상,산생료광생아류자.당외가전압위5V시,루전류밀도유9.1mA/cm2증대도16.3mA/cm2.Pt화BFMO적접촉만족금속-반도체이론중적구모접촉,병차광적존재병몰유개변Pt/BFMO/Pt전용기적루전류궤제.당광입사도박막표면,양품적잉여겁화강도증대,유무광시적91.7μC/cm2증대도광조시적99.9μC/cm2.
