N空位对Cu掺杂AlN电磁性质的影响的第一性原理研究
N공위대Cu참잡AlN전자성질적영향적제일성원리연구
First-principles study of the effects of single N vacancy on the electronic structure and ferromagnetism of Cu-doped AlN
  • 万方数据
    原子与分子物理学报 원자여분자물이학보
    CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
    2013年 2期 299-304 ,共6页

    聂招秀%王腊节

    섭초수%왕석절

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    N공위%Cu참잡AlN%전자결구%철자성%제일성원리
    利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法研究了N空位对Cu掺杂AlN的电子结构和磁学性质的影响.结果表明,与Cu最近邻的N原子更易失去形成N空位.N空位的引入减小了Cu掺杂AlN体系的半金属能隙；减弱了Cu及其近邻N原子的自旋极化的强度以及Cu3d与N2p轨道间的杂化,因而减小了体系的半金属铁磁性.因此,制备Cu掺杂AlN稀磁半导体时应尽可能地避免N空位的产生.
    이용기우밀도범함이론적평면파초연안세법연구료N공위대Cu참잡AlN적전자결구화자학성질적영향.결과표명,여Cu최근린적N원자경역실거형성N공위.N공위적인입감소료Cu참잡AlN체계적반금속능극；감약료Cu급기근린N원자적자선겁화적강도이급Cu3d여N2p궤도간적잡화,인이감소료체계적반금속철자성.인차,제비Cu참잡AlN희자반도체시응진가능지피면N공위적산생.
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