嘉兴学院学报
嘉興學院學報
가흥학원학보
JOURNAL OF JIAXING COLLEGE
2013年
3期
65-68
,共4页
Tm掺杂AlN%射频磁控反应溅射%光致发光光谱
Tm摻雜AlN%射頻磁控反應濺射%光緻髮光光譜
Tm참잡AlN%사빈자공반응천사%광치발광광보
利用射频磁控反应溅射方法,以Al-Tm合金为靶材,Si (100)为衬底,制备了铕(Tm)掺杂的氮化铝(AlN)薄膜.利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了退火温度对样品结晶形态和表面粗糙度的影响.XRD测试结果表明,经高温退火处理后的样品具有良好的(100)择优取向；AFM测试表明,适当温度退火后的薄膜更加致密、平整；X-射线能量谱(EDS)测试表明,薄膜主要组分为Al、N、O、和C元素,但C、O主要吸附于薄膜表面,Al和N的含量接近于AlN的化学计量比；光致发光光谱(PL)测试表明,Tm掺杂的AlN薄膜发光中心位于468 nn,对应于可见光谱中的蓝色光,退火温度对发光强度有重要影响.
利用射頻磁控反應濺射方法,以Al-Tm閤金為靶材,Si (100)為襯底,製備瞭銪(Tm)摻雜的氮化鋁(AlN)薄膜.利用X-射線衍射儀(XRD)和原子力顯微鏡(AFM)研究瞭退火溫度對樣品結晶形態和錶麵粗糙度的影響.XRD測試結果錶明,經高溫退火處理後的樣品具有良好的(100)擇優取嚮；AFM測試錶明,適噹溫度退火後的薄膜更加緻密、平整；X-射線能量譜(EDS)測試錶明,薄膜主要組分為Al、N、O、和C元素,但C、O主要吸附于薄膜錶麵,Al和N的含量接近于AlN的化學計量比；光緻髮光光譜(PL)測試錶明,Tm摻雜的AlN薄膜髮光中心位于468 nn,對應于可見光譜中的藍色光,退火溫度對髮光彊度有重要影響.
이용사빈자공반응천사방법,이Al-Tm합금위파재,Si (100)위츤저,제비료유(Tm)참잡적담화려(AlN)박막.이용X-사선연사의(XRD)화원자력현미경(AFM)연구료퇴화온도대양품결정형태화표면조조도적영향.XRD측시결과표명,경고온퇴화처리후적양품구유량호적(100)택우취향；AFM측시표명,괄당온도퇴화후적박막경가치밀、평정；X-사선능량보(EDS)측시표명,박막주요조분위Al、N、O、화C원소,단C、O주요흡부우박막표면,Al화N적함량접근우AlN적화학계량비；광치발광광보(PL)측시표명,Tm참잡적AlN박막발광중심위우468 nn,대응우가견광보중적람색광,퇴화온도대발광강도유중요영향.
