高技术通讯
高技術通訊
고기술통신
HIGH TECHNOLOGY LETTERS
2012年
12期
1299-1303
,共5页
IQ混频器%耦合器%巴伦%变频损耗%镜像抑制度%单片电路
IQ混頻器%耦閤器%巴倫%變頻損耗%鏡像抑製度%單片電路
IQ혼빈기%우합기%파륜%변빈손모%경상억제도%단편전로
采用0.15μm砷化镓赝晶高迁移率场效应管工艺设计了一种结构紧凑的26～40GHz的毫米波无源单片电路IQ混频器.该混频器采用环形二极管和新颖的中频提取电路结构,并把螺旋型Marchand巴伦(平衡-不平衡变换器)用于本振端和射频端,将单端信号转换成差分信号,极大地缩小了芯片的面积,整块芯片面积为1.5mm×1.35mm.芯片在片测试结果表明混频器性能良好,变频损耗在26～40 GHz射频频带范围内为-6.5～-13dB,中频带宽为DC ～ 6GHz,镜像抑制度(IMRR)在18～26dB之间,本振到射频的隔离度大于23dB,本振到中频的隔离度大于29dB,射频到中频的隔离度大于26dB.
採用0.15μm砷化鎵贗晶高遷移率場效應管工藝設計瞭一種結構緊湊的26～40GHz的毫米波無源單片電路IQ混頻器.該混頻器採用環形二極管和新穎的中頻提取電路結構,併把螺鏇型Marchand巴倫(平衡-不平衡變換器)用于本振耑和射頻耑,將單耑信號轉換成差分信號,極大地縮小瞭芯片的麵積,整塊芯片麵積為1.5mm×1.35mm.芯片在片測試結果錶明混頻器性能良好,變頻損耗在26～40 GHz射頻頻帶範圍內為-6.5～-13dB,中頻帶寬為DC ～ 6GHz,鏡像抑製度(IMRR)在18～26dB之間,本振到射頻的隔離度大于23dB,本振到中頻的隔離度大于29dB,射頻到中頻的隔離度大于26dB.
채용0.15μm신화가안정고천이솔장효응관공예설계료일충결구긴주적26～40GHz적호미파무원단편전로IQ혼빈기.해혼빈기채용배형이겁관화신영적중빈제취전로결구,병파라선형Marchand파륜(평형-불평형변환기)용우본진단화사빈단,장단단신호전환성차분신호,겁대지축소료심편적면적,정괴심편면적위1.5mm×1.35mm.심편재편측시결과표명혼빈기성능량호,변빈손모재26～40 GHz사빈빈대범위내위-6.5～-13dB,중빈대관위DC ～ 6GHz,경상억제도(IMRR)재18～26dB지간,본진도사빈적격리도대우23dB,본진도중빈적격리도대우29dB,사빈도중빈적격리도대우26dB.
