光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2013年
1期
1-6
,共6页
郭闰达%王鹏%陈宇%岳守振%赵毅%刘式墉
郭閏達%王鵬%陳宇%嶽守振%趙毅%劉式墉
곽윤체%왕붕%진우%악수진%조의%류식용
红光顶发射有机电致发光器件%CBP覆盖层%双发光层%色纯度%角度依赖特性
紅光頂髮射有機電緻髮光器件%CBP覆蓋層%雙髮光層%色純度%角度依賴特性
홍광정발사유궤전치발광기건%CBP복개층%쌍발광층%색순도%각도의뢰특성
在Si/SiO2衬底上生长金属银作为阳极,4,4,4-tris(3-methylphenylpheny-lamino)-triphenylamine(m-MTDATA):MoOx/m-MTDATA/N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl1,1-biphenyl-4,4-diamine (NPB)作为空穴注入及传输层,发光层采用4,4-N,N-dicarbazole-biphenyl (CBP)掺杂磷光染料(1-(phenyl) isoquinoline) iridium(Ⅲ) acetylanetonate(Ir(piq)2 (acac))的结构,4,7-di-phenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作为空穴阻挡层及电子传输层,阴极为LiF(1 nm)/Al(2 nm)/Ag(20 nm)复合阴极结构.通过在光取出的复合阴极上方生长一层CBP光学覆盖层,有效地改善了复合阴极膜系的透射率,从而改善了顶发射结构的光学耦合输出特性,在提高器件的正向发光效率的同时还使色坐标往深红光区移动.并且生长光学覆盖层结构的器件角度依赖特性明显得到改善,这对于制作高显示质量的显示器件具有重要意义.在原有结构的基础上增加20 nm的NPB掺杂磷光染料Ir(piq)2(acac)作发光层,从而得到双发光层结构为NPB:Ir(piq)2 (acac) (1%,20 nm)/CBP:Ir(piq)2 (acac)(1%,20 nm).由于NPB具有较高的空穴迁移率,避免了由于光学厚度的增加而引起器件工作电压的大幅升高,而双发光层的结构有利于增大激子复合区域,提高辐射复合几率,减少非辐射损耗,实现主客体之间高效的三线态能量传递,相对单发光层顶发射结构,双发光层结构不仅提高了器件的发光效率,而且改善了器件的色坐标.
在Si/SiO2襯底上生長金屬銀作為暘極,4,4,4-tris(3-methylphenylpheny-lamino)-triphenylamine(m-MTDATA):MoOx/m-MTDATA/N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl1,1-biphenyl-4,4-diamine (NPB)作為空穴註入及傳輸層,髮光層採用4,4-N,N-dicarbazole-biphenyl (CBP)摻雜燐光染料(1-(phenyl) isoquinoline) iridium(Ⅲ) acetylanetonate(Ir(piq)2 (acac))的結構,4,7-di-phenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作為空穴阻擋層及電子傳輸層,陰極為LiF(1 nm)/Al(2 nm)/Ag(20 nm)複閤陰極結構.通過在光取齣的複閤陰極上方生長一層CBP光學覆蓋層,有效地改善瞭複閤陰極膜繫的透射率,從而改善瞭頂髮射結構的光學耦閤輸齣特性,在提高器件的正嚮髮光效率的同時還使色坐標往深紅光區移動.併且生長光學覆蓋層結構的器件角度依賴特性明顯得到改善,這對于製作高顯示質量的顯示器件具有重要意義.在原有結構的基礎上增加20 nm的NPB摻雜燐光染料Ir(piq)2(acac)作髮光層,從而得到雙髮光層結構為NPB:Ir(piq)2 (acac) (1%,20 nm)/CBP:Ir(piq)2 (acac)(1%,20 nm).由于NPB具有較高的空穴遷移率,避免瞭由于光學厚度的增加而引起器件工作電壓的大幅升高,而雙髮光層的結構有利于增大激子複閤區域,提高輻射複閤幾率,減少非輻射損耗,實現主客體之間高效的三線態能量傳遞,相對單髮光層頂髮射結構,雙髮光層結構不僅提高瞭器件的髮光效率,而且改善瞭器件的色坐標.
재Si/SiO2츤저상생장금속은작위양겁,4,4,4-tris(3-methylphenylpheny-lamino)-triphenylamine(m-MTDATA):MoOx/m-MTDATA/N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl1,1-biphenyl-4,4-diamine (NPB)작위공혈주입급전수층,발광층채용4,4-N,N-dicarbazole-biphenyl (CBP)참잡린광염료(1-(phenyl) isoquinoline) iridium(Ⅲ) acetylanetonate(Ir(piq)2 (acac))적결구,4,7-di-phenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)작위공혈조당층급전자전수층,음겁위LiF(1 nm)/Al(2 nm)/Ag(20 nm)복합음겁결구.통과재광취출적복합음겁상방생장일층CBP광학복개층,유효지개선료복합음겁막계적투사솔,종이개선료정발사결구적광학우합수출특성,재제고기건적정향발광효솔적동시환사색좌표왕심홍광구이동.병차생장광학복개층결구적기건각도의뢰특성명현득도개선,저대우제작고현시질량적현시기건구유중요의의.재원유결구적기출상증가20 nm적NPB참잡린광염료Ir(piq)2(acac)작발광층,종이득도쌍발광층결구위NPB:Ir(piq)2 (acac) (1%,20 nm)/CBP:Ir(piq)2 (acac)(1%,20 nm).유우NPB구유교고적공혈천이솔,피면료유우광학후도적증가이인기기건공작전압적대폭승고,이쌍발광층적결구유리우증대격자복합구역,제고복사복합궤솔,감소비복사손모,실현주객체지간고효적삼선태능량전체,상대단발광층정발사결구,쌍발광층결구불부제고료기건적발광효솔,이차개선료기건적색좌표.