广东广播电视大学学报
廣東廣播電視大學學報
엄동엄파전시대학학보
JOURNAL OF GUANGDONG RADIO & TELEVISION UNIVERSITY
2013年
1期
109-112
,共4页
GaN%LED%电流扩展
GaN%LED%電流擴展
GaN%LED%전류확전
与传统光源相比,GaN基发光二级管(LED)具有寿命长、节能、功耗低等优点,而优化LED有源区内电流扩展均匀性是提高LED器件性能的关键.对国内外与LED电流扩展相关的文献进行研究和归纳分析,结果表明,n型GaN层、p型GaN层、p型透明导电层、电极形状、芯片尺寸和器件结构等因素都会影响LED有源区内的电流扩展均匀性.
與傳統光源相比,GaN基髮光二級管(LED)具有壽命長、節能、功耗低等優點,而優化LED有源區內電流擴展均勻性是提高LED器件性能的關鍵.對國內外與LED電流擴展相關的文獻進行研究和歸納分析,結果錶明,n型GaN層、p型GaN層、p型透明導電層、電極形狀、芯片呎吋和器件結構等因素都會影響LED有源區內的電流擴展均勻性.
여전통광원상비,GaN기발광이급관(LED)구유수명장、절능、공모저등우점,이우화LED유원구내전류확전균균성시제고LED기건성능적관건.대국내외여LED전류확전상관적문헌진행연구화귀납분석,결과표명,n형GaN층、p형GaN층、p형투명도전층、전겁형상、심편척촌화기건결구등인소도회영향LED유원구내적전류확전균균성.
