发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
2期
208-212
,共5页
溶胶凝胶法%铟锌氧化物薄膜%薄膜晶体管%低温
溶膠凝膠法%銦鋅氧化物薄膜%薄膜晶體管%低溫
용효응효법%인자양화물박막%박막정체관%저온
采用溶胶凝胶法制备了非晶钢锌氧化物(a-IZO)薄膜,并作为薄膜晶体管(TFT)的有源层制备了a-IZO TFT.研究了IZO薄膜中铟锌比对薄膜性质及a-IZO TFT器件性能的影响.结果表明:溶胶凝胶法制备的IZO薄膜经低温(300℃)退火后为非晶结构,薄膜表面均匀平整、致密,颗粒大小为20 nm左右,并具有高透过率(＞85％).IZO薄膜中的铟锌比对薄膜的电学性能和TFT器件特性影响显著,增加In含量有利于提高薄膜和器件的迁移率.当铟锌比为3∶2时,所获得的薄膜适合于作为薄膜晶体管的有源层,制备的IZO-TFT经过相对低温(300℃)退火处理具有较好的器件性能,阈值电压为1.3V,载流子饱和迁移率为0.24 cm2·V-1·s-1,开关比(Ⅰon∶Ⅰoff)为105.
採用溶膠凝膠法製備瞭非晶鋼鋅氧化物(a-IZO)薄膜,併作為薄膜晶體管(TFT)的有源層製備瞭a-IZO TFT.研究瞭IZO薄膜中銦鋅比對薄膜性質及a-IZO TFT器件性能的影響.結果錶明:溶膠凝膠法製備的IZO薄膜經低溫(300℃)退火後為非晶結構,薄膜錶麵均勻平整、緻密,顆粒大小為20 nm左右,併具有高透過率(＞85％).IZO薄膜中的銦鋅比對薄膜的電學性能和TFT器件特性影響顯著,增加In含量有利于提高薄膜和器件的遷移率.噹銦鋅比為3∶2時,所穫得的薄膜適閤于作為薄膜晶體管的有源層,製備的IZO-TFT經過相對低溫(300℃)退火處理具有較好的器件性能,閾值電壓為1.3V,載流子飽和遷移率為0.24 cm2·V-1·s-1,開關比(Ⅰon∶Ⅰoff)為105.
채용용효응효법제비료비정강자양화물(a-IZO)박막,병작위박막정체관(TFT)적유원층제비료a-IZO TFT.연구료IZO박막중인자비대박막성질급a-IZO TFT기건성능적영향.결과표명:용효응효법제비적IZO박막경저온(300℃)퇴화후위비정결구,박막표면균균평정、치밀,과립대소위20 nm좌우,병구유고투과솔(＞85％).IZO박막중적인자비대박막적전학성능화TFT기건특성영향현저,증가In함량유리우제고박막화기건적천이솔.당인자비위3∶2시,소획득적박막괄합우작위박막정체관적유원층,제비적IZO-TFT경과상대저온(300℃)퇴화처리구유교호적기건성능,역치전압위1.3V,재류자포화천이솔위0.24 cm2·V-1·s-1,개관비(Ⅰon∶Ⅰoff)위105.
