发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
2期
154-159
,共6页
吴义良%周国方%王文坚%张梓晗%吴春艳
吳義良%週國方%王文堅%張梓晗%吳春豔
오의량%주국방%왕문견%장재함%오춘염
CuInS2%微球%场效应器件%光伏器件
CuInS2%微毬%場效應器件%光伏器件
CuInS2%미구%장효응기건%광복기건
以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,在乙二醇(EG)中进行溶剂热反应,成功合成了四方晶系CuInS2花状微球.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)以及紫外-可见吸收光谱等表征其形貌、结构及成分,并构建了基于其的底栅型场效应器件(Back-gate FET).实验结果表明:p型CuInS2微球所需合成温度为200℃,禁带宽度为1.62 eV,电导率约为2 S·cm-1.CuInS2微球有望用于低耗、高效CuInS2基光伏器件的制备.
以十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)為錶麵活性劑,在乙二醇(EG)中進行溶劑熱反應,成功閤成瞭四方晶繫CuInS2花狀微毬.利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、光電子能譜(XPS)以及紫外-可見吸收光譜等錶徵其形貌、結構及成分,併構建瞭基于其的底柵型場效應器件(Back-gate FET).實驗結果錶明:p型CuInS2微毬所需閤成溫度為200℃,禁帶寬度為1.62 eV,電導率約為2 S·cm-1.CuInS2微毬有望用于低耗、高效CuInS2基光伏器件的製備.
이십륙완기삼갑기추화안(CTAB)위표면활성제,재을이순(EG)중진행용제열반응,성공합성료사방정계CuInS2화상미구.이용소묘전자현미경(SEM)、X사선연사(XRD)、광전자능보(XPS)이급자외-가견흡수광보등표정기형모、결구급성분,병구건료기우기적저책형장효응기건(Back-gate FET).실험결과표명:p형CuInS2미구소수합성온도위200℃,금대관도위1.62 eV,전도솔약위2 S·cm-1.CuInS2미구유망용우저모、고효CuInS2기광복기건적제비.
