中国科技纵横
中國科技縱橫
중국과기종횡
CHINA SCIENCE & TECHNOLOGY PANORAMA MAGAZINE
2013年
9期
173-173,175
,共2页
ZnO薄膜%p型ZnO%P型掺杂
ZnO薄膜%p型ZnO%P型摻雜
ZnO박막%p형ZnO%P형참잡
ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV)，具有许多优异的光电特性。但一般制备出的ZnO薄膜材料均呈N型导电，要实现ZnO在光电器件领域的广泛应用，必须获得性能良好p型ZnO。然而，由于受主元素在ZnO中较低的固溶度、较深的受主能级、施主缺陷的自补偿等因素，很难制备出性能优异的p-ZnO。本文对P型ZnO薄膜的研究现状做一简要综述。
ZnO是一種寬禁帶半導體材料(3.37eV)，具有許多優異的光電特性。但一般製備齣的ZnO薄膜材料均呈N型導電，要實現ZnO在光電器件領域的廣汎應用，必鬚穫得性能良好p型ZnO。然而，由于受主元素在ZnO中較低的固溶度、較深的受主能級、施主缺陷的自補償等因素，很難製備齣性能優異的p-ZnO。本文對P型ZnO薄膜的研究現狀做一簡要綜述。
ZnO시일충관금대반도체재료(3.37eV)，구유허다우이적광전특성。단일반제비출적ZnO박막재료균정N형도전，요실현ZnO재광전기건영역적엄범응용，필수획득성능량호p형ZnO。연이，유우수주원소재ZnO중교저적고용도、교심적수주능급、시주결함적자보상등인소，흔난제비출성능우이적p-ZnO。본문대P형ZnO박막적연구현상주일간요종술。
