光学精密工程
光學精密工程
광학정밀공정
OPTICS AND PRECISION ENGINEERING
2013年
6期
1434-1439
,共6页
陈鑫%赵建宜%王智浩%王磊%周宁%刘文
陳鑫%趙建宜%王智浩%王磊%週寧%劉文
진흠%조건의%왕지호%왕뢰%주저%류문
纳米压印技术%分布反馈激光器%残胶%多层掩模%软模板
納米壓印技術%分佈反饋激光器%殘膠%多層掩模%軟模闆
납미압인기술%분포반궤격광기%잔효%다층엄모%연모판
nanoimprint lithography%Distributed Feedback (DFB) laser%residual resist%multi-mask%soft stamp
纳米压印工艺中的压印胶在固化后会发生聚合物的铰链,生成高分子聚合物,很难被一般有机溶剂清除,从而影响器件的性能.为有效去除压印残胶,提出一种利用多层掩模去除残胶的方法.该方法首先在基片和压印胶之间沉积一层50 nm的二氧化硅作为硬掩模;接着用纳米压印工艺将光栅图形转移到压印胶上,再用干法刻蚀将光栅图形转移到基片上;最后,放入BOE (buffered oxide etchant)中漂洗数秒以去除残胶.文中总结了刻蚀底胶时间对光栅占空比的影响,对比了经过多层掩模去残胶和传统去残胶的方法处理后的光栅形貌.电镜图片结果显示,采用本文方法经过漂洗的光栅表面残胶去除干净,形貌良好,其周期约为240 nm,深度约为82 nm.实验表明,多层掩模去残胶的方法不仅能够有效地去除刻蚀残胶,同时能够避免光栅形貌的损坏.
納米壓印工藝中的壓印膠在固化後會髮生聚閤物的鉸鏈,生成高分子聚閤物,很難被一般有機溶劑清除,從而影響器件的性能.為有效去除壓印殘膠,提齣一種利用多層掩模去除殘膠的方法.該方法首先在基片和壓印膠之間沉積一層50 nm的二氧化硅作為硬掩模;接著用納米壓印工藝將光柵圖形轉移到壓印膠上,再用榦法刻蝕將光柵圖形轉移到基片上;最後,放入BOE (buffered oxide etchant)中漂洗數秒以去除殘膠.文中總結瞭刻蝕底膠時間對光柵佔空比的影響,對比瞭經過多層掩模去殘膠和傳統去殘膠的方法處理後的光柵形貌.電鏡圖片結果顯示,採用本文方法經過漂洗的光柵錶麵殘膠去除榦淨,形貌良好,其週期約為240 nm,深度約為82 nm.實驗錶明,多層掩模去殘膠的方法不僅能夠有效地去除刻蝕殘膠,同時能夠避免光柵形貌的損壞.
납미압인공예중적압인효재고화후회발생취합물적교련,생성고분자취합물,흔난피일반유궤용제청제,종이영향기건적성능.위유효거제압인잔효,제출일충이용다층엄모거제잔효적방법.해방법수선재기편화압인효지간침적일층50 nm적이양화규작위경엄모;접착용납미압인공예장광책도형전이도압인효상,재용간법각식장광책도형전이도기편상;최후,방입BOE (buffered oxide etchant)중표세수초이거제잔효.문중총결료각식저효시간대광책점공비적영향,대비료경과다층엄모거잔효화전통거잔효적방법처리후적광책형모.전경도편결과현시,채용본문방법경과표세적광책표면잔효거제간정,형모량호,기주기약위240 nm,심도약위82 nm.실험표명,다층엄모거잔효적방법불부능구유효지거제각식잔효,동시능구피면광책형모적손배.
