光学精密工程
光學精密工程
광학정밀공정
OPTICS AND PRECISION ENGINEERING
2013年
3期
590-597
,共8页
徐华伟%宁永强%曾玉刚%张星%秦莉
徐華偉%寧永彊%曾玉剛%張星%秦莉
서화위%저영강%증옥강%장성%진리
半导体激光器%应变量子阱%外延生长%波长漂移%反射各向异性谱
半導體激光器%應變量子阱%外延生長%波長漂移%反射各嚮異性譜
반도체격광기%응변양자정%외연생장%파장표이%반사각향이성보
设计并外延生长了具有高温度稳定性的InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,用于解决852 nm半导体激光器在高温环境下工作时的波长漂移问题.基于理论模型,计算并模拟对比了InAlGaAs,InGaAsP,InGaAs和GaAs量子阱的增益及其增益峰值波长随温度的漂移,结果显示,采用In0.15Al0.11Ga0.74As作为852 nm半导体激光器的量子阱可以使器件同时具有较高的增益峰值和良好的波长温漂稳定性.使用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)外延生长了In0.15Al0.11Ga0.74As/Al03Ga07As有源区,通过反射各向异性谱(RAS)在线监测和PL谱研究了InAlGaAs/AlGaAs界面的外延质量,实验证明了通过降低生长温度和在InAlGaAs/AlGaAs界面处使用中断时间,可以有效抑制In析出,从而获得InAlGaAs/AlGaAs陡峭界面.最后,采用优化后的外延生长条件,研制出了InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.实验测试结果显示,其光谱半高宽为1.1 nm,斜率效率为0.64 W/A,激射波长随温度漂移为0.256 nm/K.理论计算结果与实验测试结果相吻合,证明器件性能满足在高温环境下工作的要求.
設計併外延生長瞭具有高溫度穩定性的InAlGaAs/AlGaAs應變量子阱激光器,用于解決852 nm半導體激光器在高溫環境下工作時的波長漂移問題.基于理論模型,計算併模擬對比瞭InAlGaAs,InGaAsP,InGaAs和GaAs量子阱的增益及其增益峰值波長隨溫度的漂移,結果顯示,採用In0.15Al0.11Ga0.74As作為852 nm半導體激光器的量子阱可以使器件同時具有較高的增益峰值和良好的波長溫漂穩定性.使用金屬有機化閤物氣相澱積(MOCVD)外延生長瞭In0.15Al0.11Ga0.74As/Al03Ga07As有源區,通過反射各嚮異性譜(RAS)在線鑑測和PL譜研究瞭InAlGaAs/AlGaAs界麵的外延質量,實驗證明瞭通過降低生長溫度和在InAlGaAs/AlGaAs界麵處使用中斷時間,可以有效抑製In析齣,從而穫得InAlGaAs/AlGaAs陡峭界麵.最後,採用優化後的外延生長條件,研製齣瞭InAlGaAs/AlGaAs應變量子阱激光器.實驗測試結果顯示,其光譜半高寬為1.1 nm,斜率效率為0.64 W/A,激射波長隨溫度漂移為0.256 nm/K.理論計算結果與實驗測試結果相吻閤,證明器件性能滿足在高溫環境下工作的要求.
설계병외연생장료구유고온도은정성적InAlGaAs/AlGaAs응변양자정격광기,용우해결852 nm반도체격광기재고온배경하공작시적파장표이문제.기우이론모형,계산병모의대비료InAlGaAs,InGaAsP,InGaAs화GaAs양자정적증익급기증익봉치파장수온도적표이,결과현시,채용In0.15Al0.11Ga0.74As작위852 nm반도체격광기적양자정가이사기건동시구유교고적증익봉치화량호적파장온표은정성.사용금속유궤화합물기상정적(MOCVD)외연생장료In0.15Al0.11Ga0.74As/Al03Ga07As유원구,통과반사각향이성보(RAS)재선감측화PL보연구료InAlGaAs/AlGaAs계면적외연질량,실험증명료통과강저생장온도화재InAlGaAs/AlGaAs계면처사용중단시간,가이유효억제In석출,종이획득InAlGaAs/AlGaAs두초계면.최후,채용우화후적외연생장조건,연제출료InAlGaAs/AlGaAs응변양자정격광기.실험측시결과현시,기광보반고관위1.1 nm,사솔효솔위0.64 W/A,격사파장수온도표이위0.256 nm/K.이론계산결과여실험측시결과상문합,증명기건성능만족재고온배경하공작적요구.
