光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2013年
2期
161-166
,共6页
氮化镓%相变%电子结构%光学性质
氮化鎵%相變%電子結構%光學性質
담화가%상변%전자결구%광학성질
运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法,对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究,分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.通过状态方程和焓相等原理得到GaN从纤锌矿到氯化钠结构的相变压强分别为43.9 Gpa和46.0 Gpa;在相变的过程中,GaN由典型的直接带隙半导体转变为间接带隙半导体材料；氯化钠结构GaN相比于纤锌矿结构,介电函数主峰值增强,本征吸收边明显往高能方向移动,氯化钠结构GaN在低能区域的光学性质差于纤锌矿结构.
運用第一性原理平麵波贗勢和廣義梯度近似方法,對纖鋅礦結構和氯化鈉結構GaN的狀態方程及其在高壓下的相變進行計算研究,分析相變點附近的電子態密度、能帶結構和光學性質的變化機製.通過狀態方程和焓相等原理得到GaN從纖鋅礦到氯化鈉結構的相變壓彊分彆為43.9 Gpa和46.0 Gpa;在相變的過程中,GaN由典型的直接帶隙半導體轉變為間接帶隙半導體材料；氯化鈉結構GaN相比于纖鋅礦結構,介電函數主峰值增彊,本徵吸收邊明顯往高能方嚮移動,氯化鈉結構GaN在低能區域的光學性質差于纖鋅礦結構.
운용제일성원리평면파안세화엄의제도근사방법,대섬자광결구화록화납결구GaN적상태방정급기재고압하적상변진행계산연구,분석상변점부근적전자태밀도、능대결구화광학성질적변화궤제.통과상태방정화함상등원리득도GaN종섬자광도록화납결구적상변압강분별위43.9 Gpa화46.0 Gpa;재상변적과정중,GaN유전형적직접대극반도체전변위간접대극반도체재료；록화납결구GaN상비우섬자광결구,개전함수주봉치증강,본정흡수변명현왕고능방향이동,록화납결구GaN재저능구역적광학성질차우섬자광결구.
