光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2013年
2期
139-143
,共5页
陈宇%王鹏%郭闰达%岳守振%赵毅%刘式墉
陳宇%王鵬%郭閏達%嶽守振%趙毅%劉式墉
진우%왕붕%곽윤체%악수진%조의%류식용
有机电致发光器件%p型掺杂%效率衰减
有機電緻髮光器件%p型摻雜%效率衰減
유궤전치발광기건%p형참잡%효솔쇠감
利用氧化钼(MoOx)作为p型掺杂剂,以掺杂层4,4’-bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP):MoOx作为空穴注入层,制备了一种结构为ITO/MoOx/CBP∶MoOx/CBP/CBP:tris(2-phenylpyridine) iridium(Ⅲ)(Ir (ppy)3)/4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(Bphen) /LiF/Al的有机电致发光器件.器件中CBP同时作为空穴注入层、空穴传输层以及发光层母体材料,这种结构具有结构简单同时能有效降低空穴注入势垒等优点.研究发现,随着空穴注入层厚度的增加,器件的电流密度增加,表明p型掺杂层的引入能够有效增强空穴的注入;通过优化器件空穴注入层与空穴传输层厚度,器件性能有所提高,最大电流效率为29.8 cd/A,可以认为合理的优化空穴注入层和空穴传输层的厚度,使载流子在发光层中的分布更加平衡是提高器件发光效率的主要原因.值得指出的是,从电流效率最大值到亮度为20000 cd/m2时,优化后器件的效率衰减仅为17.7%,而常规器件的效率衰减则为62.1%,优化后器件效率衰减现象得到了明显的改善.分析认为优化后的器件中未掺杂的CBP有助于展宽激子形成区宽度,进而减弱了三线态-三线态湮灭、三线态-极化子淬灭现象,激子形成区的展宽是改善效率衰减的主要原因.
利用氧化鉬(MoOx)作為p型摻雜劑,以摻雜層4,4’-bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP):MoOx作為空穴註入層,製備瞭一種結構為ITO/MoOx/CBP∶MoOx/CBP/CBP:tris(2-phenylpyridine) iridium(Ⅲ)(Ir (ppy)3)/4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(Bphen) /LiF/Al的有機電緻髮光器件.器件中CBP同時作為空穴註入層、空穴傳輸層以及髮光層母體材料,這種結構具有結構簡單同時能有效降低空穴註入勢壘等優點.研究髮現,隨著空穴註入層厚度的增加,器件的電流密度增加,錶明p型摻雜層的引入能夠有效增彊空穴的註入;通過優化器件空穴註入層與空穴傳輸層厚度,器件性能有所提高,最大電流效率為29.8 cd/A,可以認為閤理的優化空穴註入層和空穴傳輸層的厚度,使載流子在髮光層中的分佈更加平衡是提高器件髮光效率的主要原因.值得指齣的是,從電流效率最大值到亮度為20000 cd/m2時,優化後器件的效率衰減僅為17.7%,而常規器件的效率衰減則為62.1%,優化後器件效率衰減現象得到瞭明顯的改善.分析認為優化後的器件中未摻雜的CBP有助于展寬激子形成區寬度,進而減弱瞭三線態-三線態湮滅、三線態-極化子淬滅現象,激子形成區的展寬是改善效率衰減的主要原因.
이용양화목(MoOx)작위p형참잡제,이참잡층4,4’-bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP):MoOx작위공혈주입층,제비료일충결구위ITO/MoOx/CBP∶MoOx/CBP/CBP:tris(2-phenylpyridine) iridium(Ⅲ)(Ir (ppy)3)/4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(Bphen) /LiF/Al적유궤전치발광기건.기건중CBP동시작위공혈주입층、공혈전수층이급발광층모체재료,저충결구구유결구간단동시능유효강저공혈주입세루등우점.연구발현,수착공혈주입층후도적증가,기건적전류밀도증가,표명p형참잡층적인입능구유효증강공혈적주입;통과우화기건공혈주입층여공혈전수층후도,기건성능유소제고,최대전류효솔위29.8 cd/A,가이인위합리적우화공혈주입층화공혈전수층적후도,사재류자재발광층중적분포경가평형시제고기건발광효솔적주요원인.치득지출적시,종전류효솔최대치도량도위20000 cd/m2시,우화후기건적효솔쇠감부위17.7%,이상규기건적효솔쇠감칙위62.1%,우화후기건효솔쇠감현상득도료명현적개선.분석인위우화후적기건중미참잡적CBP유조우전관격자형성구관도,진이감약료삼선태-삼선태인멸、삼선태-겁화자쉬멸현상,격자형성구적전관시개선효솔쇠감적주요원인.