功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2013年
4期
585-589
,共5页
肖清泉%谢泉%沈向前%张晋敏%陈茜
肖清泉%謝泉%瀋嚮前%張晉敏%陳茜
초청천%사천%침향전%장진민%진천
半导体薄膜%Mg2Si%磁控溅射%热处理%表征
半導體薄膜%Mg2Si%磁控濺射%熱處理%錶徵
반도체박막%Mg2Si%자공천사%열처리%표정
采用磁控溅射沉积方法制备Mg2 Si半导体薄膜.首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理.采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征.研究了在低真空(10-1～10-2Pa)条件下热处理温度(350～550℃)和热处理时间(3～7h)对Mg2Si薄膜形成的影响.结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400～550℃热处理4～5h是最佳的热处理条件.在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致.
採用磁控濺射沉積方法製備Mg2 Si半導體薄膜.首先在Si襯底上沉積Mg膜,隨後低真空熱處理.採用X射線衍射、掃描電鏡、拉曼光譜對Mg2Si薄膜的結構進行錶徵.研究瞭在低真空(10-1～10-2Pa)條件下熱處理溫度(350～550℃)和熱處理時間(3～7h)對Mg2Si薄膜形成的影響.結果錶明,低真空熱處理條件下製備瞭單一相Mg2Si半導體薄膜,400～550℃熱處理4～5h是最佳的熱處理條件.在拉曼譜中256和690cm-1處觀察到兩箇散射峰,這與Mg2Si的拉曼特徵峰峰位一緻.
채용자공천사침적방법제비Mg2 Si반도체박막.수선재Si츤저상침적Mg막,수후저진공열처리.채용X사선연사、소묘전경、랍만광보대Mg2Si박막적결구진행표정.연구료재저진공(10-1～10-2Pa)조건하열처리온도(350～550℃)화열처리시간(3～7h)대Mg2Si박막형성적영향.결과표명,저진공열처리조건하제비료단일상Mg2Si반도체박막,400～550℃열처리4～5h시최가적열처리조건.재랍만보중256화690cm-1처관찰도량개산사봉,저여Mg2Si적랍만특정봉봉위일치.
