功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2013年
4期
552-554,558
,共4页
李亚鹏%孟庆森%周红%杨江锋%崔教林
李亞鵬%孟慶森%週紅%楊江鋒%崔教林
리아붕%맹경삼%주홍%양강봉%최교림
热电性能%黄铜矿型三元合金CuGaTe2%带隙宽度
熱電性能%黃銅礦型三元閤金CuGaTe2%帶隙寬度
열전성능%황동광형삼원합금CuGaTe2%대극관도
利用放电等离子烧结技术制备了三元半导体CuGaTe2.XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物CuGaTe2,带隙宽度(Eg)约为1.0eV,与Ga2 Te3(1.65eV)的带隙相比明显变窄.在701K时电导率达到1.6×104/(Q·m).电导率的显著提高与带隙变窄密切相关.晶格热导率占总热导率(κ)的主要部分,κ值由室温时的3.64W/(m·K)降低到701K时的1.1W/(m·K),并基本符合∝T-1关系,即声子散射基本受Umklapp过程控制.在701K时该三元化合物的最大热电优值ZT为0.49,而Ga2 Te3在860K时的最大ZT值为0.16.
利用放電等離子燒結技術製備瞭三元半導體CuGaTe2.XRD分析結果錶明,該半導體為單相化閤物CuGaTe2,帶隙寬度(Eg)約為1.0eV,與Ga2 Te3(1.65eV)的帶隙相比明顯變窄.在701K時電導率達到1.6×104/(Q·m).電導率的顯著提高與帶隙變窄密切相關.晶格熱導率佔總熱導率(κ)的主要部分,κ值由室溫時的3.64W/(m·K)降低到701K時的1.1W/(m·K),併基本符閤∝T-1關繫,即聲子散射基本受Umklapp過程控製.在701K時該三元化閤物的最大熱電優值ZT為0.49,而Ga2 Te3在860K時的最大ZT值為0.16.
이용방전등리자소결기술제비료삼원반도체CuGaTe2.XRD분석결과표명,해반도체위단상화합물CuGaTe2,대극관도(Eg)약위1.0eV,여Ga2 Te3(1.65eV)적대극상비명현변착.재701K시전도솔체도1.6×104/(Q·m).전도솔적현저제고여대극변착밀절상관.정격열도솔점총열도솔(κ)적주요부분,κ치유실온시적3.64W/(m·K)강저도701K시적1.1W/(m·K),병기본부합∝T-1관계,즉성자산사기본수Umklapp과정공제.재701K시해삼원화합물적최대열전우치ZT위0.49,이Ga2 Te3재860K시적최대ZT치위0.16.
