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SCIENCE & TECHNOLOGY INFORMATION
2012年
35期
92-92,94
,共2页
SiC光导开关%脉冲功率%寿命
SiC光導開關%脈遲功率%壽命
SiC광도개관%맥충공솔%수명
本文研究了金属电极结构和工艺对SiC光导开关寿命的影响。SiC光导开关采用钒掺杂的半绝缘6H-SiC基片,以Ti/Al/Ti/Au为接触电极,以重掺杂n＋-GaN薄膜为次接触层。电极结构具有不同的参数,且所经过的退火温度也不同。开关寿命测试实验表明：退火温度对SiC光导开关的寿命影响最大;边缘间隙应越小越好,但受到制备工艺限制;1μm的结合层厚度是足够的。
本文研究瞭金屬電極結構和工藝對SiC光導開關壽命的影響。SiC光導開關採用釩摻雜的半絕緣6H-SiC基片,以Ti/Al/Ti/Au為接觸電極,以重摻雜n＋-GaN薄膜為次接觸層。電極結構具有不同的參數,且所經過的退火溫度也不同。開關壽命測試實驗錶明：退火溫度對SiC光導開關的壽命影響最大;邊緣間隙應越小越好,但受到製備工藝限製;1μm的結閤層厚度是足夠的。
본문연구료금속전겁결구화공예대SiC광도개관수명적영향。SiC광도개관채용범참잡적반절연6H-SiC기편,이Ti/Al/Ti/Au위접촉전겁,이중참잡n＋-GaN박막위차접촉층。전겁결구구유불동적삼수,차소경과적퇴화온도야불동。개관수명측시실험표명：퇴화온도대SiC광도개관적수명영향최대;변연간극응월소월호,단수도제비공예한제;1μm적결합층후도시족구적。
