陇东学院学报
隴東學院學報
롱동학원학보
JOURNAI OF LONGDONG UNIVERSITY
2013年
1期
33-38
,共6页
韩彦霞%孔超%陈东平%侯丽杰%耿志远
韓彥霞%孔超%陳東平%侯麗傑%耿誌遠
한언하%공초%진동평%후려걸%경지원
二氯硅烯%异氰酸%反应机理%活化能%过渡态
二氯硅烯%異氰痠%反應機理%活化能%過渡態
이록규희%이청산%반응궤리%활화능%과도태
采用密度泛函理论B3LYP方法研究了单重态SiCl2与HNCO的反应机理.在B3LYP/6-311++G**水平上对反应物、中间体、过渡态进行了全几何参数优化,通过频率分析和内禀反应坐标(IRC)确定中间体和过渡态,用QCISD(T)/6-311++G**方法计算了各个驻点的单点能.计算表明,单重态的二氯硅烯与异氰酸的反应有抽提NH、插入N-H键、插入C-O键的路径,其中HNCO+SiCl2→IM1→TS1→IM2→TS2→IM3→TS3→IM4 →P1反应势垒最低,为主反应通道,产物为二氯硅甲胺(SiCl2NH)和一氧化碳(CO).
採用密度汎函理論B3LYP方法研究瞭單重態SiCl2與HNCO的反應機理.在B3LYP/6-311++G**水平上對反應物、中間體、過渡態進行瞭全幾何參數優化,通過頻率分析和內稟反應坐標(IRC)確定中間體和過渡態,用QCISD(T)/6-311++G**方法計算瞭各箇駐點的單點能.計算錶明,單重態的二氯硅烯與異氰痠的反應有抽提NH、插入N-H鍵、插入C-O鍵的路徑,其中HNCO+SiCl2→IM1→TS1→IM2→TS2→IM3→TS3→IM4 →P1反應勢壘最低,為主反應通道,產物為二氯硅甲胺(SiCl2NH)和一氧化碳(CO).
채용밀도범함이론B3LYP방법연구료단중태SiCl2여HNCO적반응궤리.재B3LYP/6-311++G**수평상대반응물、중간체、과도태진행료전궤하삼수우화,통과빈솔분석화내품반응좌표(IRC)학정중간체화과도태,용QCISD(T)/6-311++G**방법계산료각개주점적단점능.계산표명,단중태적이록규희여이청산적반응유추제NH、삽입N-H건、삽입C-O건적로경,기중HNCO+SiCl2→IM1→TS1→IM2→TS2→IM3→TS3→IM4 →P1반응세루최저,위주반응통도,산물위이록규갑알(SiCl2NH)화일양화탄(CO).
