微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2013年
1期
16-17
,共2页
多晶硅%干法刻蚀%等离子刻蚀
多晶硅%榦法刻蝕%等離子刻蝕
다정규%간법각식%등리자각식
多晶硅在MOS电路中占有极其重要的位置,掺杂后的多晶硅往往是用做栅极的导电材料.而腐蚀后的掺杂多晶硅的线宽决定了有源器件的栅长,而栅长确定了沟道长度并定义出了源漏电极的边界.湿法腐蚀多晶因其侧腐量大而不能使用,必须应用干法刻蚀,这里对多晶硅在干法刻蚀方面的一些问题进行了简要的分析及解决.
多晶硅在MOS電路中佔有極其重要的位置,摻雜後的多晶硅往往是用做柵極的導電材料.而腐蝕後的摻雜多晶硅的線寬決定瞭有源器件的柵長,而柵長確定瞭溝道長度併定義齣瞭源漏電極的邊界.濕法腐蝕多晶因其側腐量大而不能使用,必鬚應用榦法刻蝕,這裏對多晶硅在榦法刻蝕方麵的一些問題進行瞭簡要的分析及解決.
다정규재MOS전로중점유겁기중요적위치,참잡후적다정규왕왕시용주책겁적도전재료.이부식후적참잡다정규적선관결정료유원기건적책장,이책장학정료구도장도병정의출료원루전겁적변계.습법부식다정인기측부량대이불능사용,필수응용간법각식,저리대다정규재간법각식방면적일사문제진행료간요적분석급해결.
